英飞凌科技（前身为 International Rectifier）的 IRLML6401TRPBF 是一款 -12 V P 沟道增强型 HEXFET 功率 MOSFET，采用 3 引脚 SOT-23 (Micro3) 封装。主要规格包括 -12 V 漏极-源极电压、-4.3 A 连续漏极电流、VGS = -4.5 V 时 50 mΩ 最大 RDS(on)、-0.55 V 典型阈值电压、10 nC 总栅电荷和 1.3 W 功率耗散。该器件采用沟槽 MOSFET 技术，具有超低导通电阻。工作温度范围为 -55°C 至 +150°C (TJ)。后缀 TRPBF 表示带卷封装、无铅、无卤素。.
英飞凌（原名 International Rectifier）的 IRLML6401 是一款 P 沟道功率 MOSFET，采用行业标准的 SOT-23 (Micro3) 表面贴装封装。IRLML6401TRPBF 是卷带式、无铅、无卤素版本。它是低压负载开关应用中最受欢迎的 P 沟道 MOSFET 之一，具有广泛的多源可用性。.
该器件具有 -12 V 漏源额定电压和 -4.3 A 连续电流能力，非常适合需要高压侧 P 沟道开关的锂离子电池供电应用。在 VGS = -4.5 V 时，50 mΩ 的最大 RDS(on) 使其在 4.3 A 电流下的传导损耗仅为 215 mW，完全符合 1.3 W 的封装额定值，且电路板铜面积不大。.
低阈值电压（VGS(th) = -0.55 V 典型值，-1.0 V 最大值）使 IRLML6401 可以直接从 1.8 V 逻辑电压驱动。在 VGS = -2.5 V 时，RDS(on) 增加到约 80-90 mΩ，但仍可用于中等电流负载，从而使 1.8 V/2.5 V GPIO 驱动负载开关成为现实。.
10 nC 的总栅极电荷使开关频率高达数百 kHz，同时将栅极驱动损耗降至最低，适用于需要 P 沟道高压侧开关而非自举驱动 N 沟道的直流-直流转换器应用。.
SOT-23 封装的 RθJA 约为 75-100°C/W，具体取决于 PCB 布局。通过将大漏极片焊接到带散热孔的铜浇注上，该器件可在连续工作时处理全部额定电流。.
注：英飞凌已指定 IRLML6401TRPBF-1 为停产产品（由 IRLML6401TRPBF 代替）。不过，该器件仍可从分销商处广泛购得，仅 Farnell 就有超过 13.9 万台库存。多家第二来源制造商（VBsemi、Kexin、Born）生产兼容版本。.
**P 沟道增强型 MOSFET：** IRLML6401 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。当栅-源电压为负值（VGS 0.6 V）时，电流从源极流向漏极。该二极管适用于半桥和同步整流器应用，在死区时间内导通。.
| 针脚 | 名称 | 类型 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 1 | 大门 | I | 栅极输入；控制通道形成；VGS(th) = -0.55V typ；VGS 最大 ±8V；10nC 栅极电荷；ESD 保护；通过串联电阻器从 MCU GPIO 驱动 |
| 2 | 资料来源 | P | 源极；通常连接至 VCC 轨（高压侧开关）；导通时电流从源极流向漏极；体二极管阳极 |
| 3 | 排水 | O | 漏极；连接至负载；-4.3A 连续电流；-12V 最大 VDS；体二极管阴极；PCB 上用于散热的大标签 |
| 应用 | 说明 |
|---|---|
| 高压侧负载开关 | P 沟道作为电池和负载之间的高压侧开关；MCU GPIO 通过电阻器驱动栅极；源极至电池，漏极至负载；无需充电泵；-4.5V 时为 50mΩ，1A 时压降小于 50mV；适用于 3.3V/5V 子系统电源控制 |
| 电池保护/反极性 | 防止电池反接；P 沟道与电池串联；栅极通过齐纳与源极相连；只有当电池极性正确时才会导通；-12V 额定电压适用于单芯锂离子电池 |
| 直流-直流转换器高压侧开关 | 同步降压或反相降压-升压中的 P 沟道高压侧；10nC Qg 支持 200-500kHz 开关；栅极由控制器输出驱动；当自举式 N 沟道驱动不可行时使用 |
| 模型 | 制造商 | 兼容性 | 主要区别 |
|---|---|---|---|
| IRLML6402TRPBF | 英飞凌 | 系列变体（20V） | -20V VDS；-3.6A ID；65mΩ@-4.5V；相同的 SOT-23；更高的额定电压；更低的电流；用于 12V 总线应用 |
| si2301ds-t1-ge3 | Vishay | 功能等效 | -20V P-ch；-2.2A；90mΩ@-4.5V；SOT-23；源自 Vishay 的替代品；额定电压更高 |
| AO3401A | 阿尔法与奥米加 | 竞争升级 | -30V P-ch；-4.3A；36mΩ@-4.5V；SOT-23；较低 RDS（on）；较高电压；用于提高效率 |
| DMG2305UX-13 | 二极管公司 | 竞争性替代方案 | -20V P-ch；-4.2A；48mΩ@-4.5V；SOT-23；类似规格；Diodes Inc 源替代品 |
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