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IPD50P04P4L11ATMA1

-50V P-ch MOSFET, 50mOhm RDS(on), 50A, SOT-223, logic-level gate, automotive

14947

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制造商零件：

IPD50P04P4L11ATMA1

包装：

SOT-223 (6.5 x 3.5 x 1.6 mm)

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说明

产品概览

The IPD50P04P4L-11ATMA1 from Infineon Technologies is a -50V P-channel Power MOSFET in a SOT-223 package. It features low on-resistance, logic-level gate drive, and is optimized for load switches and reverse polarity protection in automotive and industrial applications.

主要规格

Channel Type P-Channel
VDS (Drain-Source) -50 V
VGS (Gate-Source) ±20 V
RDS(on) Max 50 mΩ @ VGS=-10V
ID (Continuous) -50 A
功率耗散 2.5 W
Gate Threshold -1.0 to -2.0 V
包装 SOT-223
工作温度 -55°C 至 +150°C

特点

  • P-channel enhancement mode MOSFET
  • Low RDS(on) of 50 mΩ for high-efficiency switching
  • Logic-level gate drive compatible

应用

  • Load switches and power management
  • Reverse polarity protection
  • Battery management systems
  • Automotive power distribution
  • DC-DC converter high-side switches

The IPD50P04P4L-11ATMA1 from Infineon Technologies is a -50V P-channel power MOSFET in a compact SOT-223 surface-mount package. It features low on-resistance of 50 mΩ, logic-level gate drive compatibility, and is designed for high-efficiency switching applications. The device is well-suited for automotive and industrial load switching, reverse polarity protection, and power management circuits where space and efficiency are critical.

The IPD50P04P4L-11ATMA1 operates as a P-channel enhancement mode MOSFET. When a negative gate-source voltage below the threshold is applied, a conductive channel forms between source and drain, allowing current flow. The low RDS(on) minimizes conduction losses during the on-state. As a P-channel device, it simplifies high-side switching circuits by eliminating the need for a gate drive voltage above the supply rail, unlike N-channel alternatives. The logic-level gate threshold allows direct drive from 3.3V or 5V microcontrollers.

针脚 名称 类型 功能
1 大门 输入 Gate control terminal
2 排水口（标签） 输出 Drain terminal (connected to heat-sink tab)
3 资料来源 电源 Source terminal
  • High-side load switches in power distribution
  • Reverse polarity protection circuits
  • Battery disconnect switches in automotive
  • DC-DC converter high-side MOSFET
  • Power routing and OR-ing circuits
制造商 部件编号 包装 说明
英飞凌 IPD50P04P4L-11ATMA2 SOT-223 Different grading variant
Vishay SI4463DY SOIC-8 -40V P-ch, 2.6mOhm, higher power
onsemi FDD6637 TO-252-3 -40V P-ch, 28mOhm alternative
意法半导体 STF20P55NH TO-220 -55V P-ch through-hole
推荐部件

IRFB4115PBF

N-Channel MOSFET, 150V, 104A, 11 mOhm RDS(on), TO-220, StrongIRFET

品牌:

封装:

TO-220 (through-hole, 3-pin)
有库存：
6283pcs

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IRF9Z24NPBF

P-Channel power MOSFET, -55V, -12A, 0.175 Ohm RDS(on), TO-220AB, fully avalanche rated

品牌:

封装:

TO-220AB (10.54 x 4.69 x 19.30 mm, 3 pins + tab)
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11526pcs

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FM25L16B-DGTR

16Kbit SPI F-RAM, 2Kx8, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 8-TDFN, EEPROM replacement

品牌:

封装:

8-TDFN (4×4.5mm)
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2853pcs

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FM25CL64B

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, SOIC-8/DFN-8

品牌:

封装:

SOIC-8 (4.9 x 3.9mm) / DFN-8 (4.0 x 3.0mm)
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FM25CL64B-GTR

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

品牌:

封装:

SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
有库存：
14066 件

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IRF7313TRPBF

Dual N-ch MOSFET, 30V, 6.5A, 29mOhm, SO-8, logic-level

品牌:

封装:

SO-8 (5.0 x 4.0 x 1.5 mm)
有库存：
10230pcs

货运周期：3~7 天
最低订购量为 1

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我们从合作供应链采购的所有电子元件都经过严格的进货检验。通过仔细的测试，我们确保交付给客户的所有产品都是原装正品，符合质量要求。此外，我们还保存完整的检验记录，使整个供应链流程清晰可查。.

认证
我们获得了多项专业认证，并建立了自己的专业检测实验室，确保交付给客户的每一件产品都符合最高质量要求。我们严格按照流程进行检测，确保产品质量稳定、参数准确。为保证原装正品，我们还与可靠的第三方检测机构合作，进行严格的质量检测。我们始终高度重视质量，完全符合行业标准、相关法规和 ISO 9001:2015 的要求。.

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