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IRLML6401TRPBF


MOSFET P-ch, -12V, -4,3A, 50mΩ@-4.5V, 10nC Qg, SOT-23, interruptor de carga/DC-DC

139501

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Pieza del fabricante:

IRLML6401TRPBF

Paquete:

SOT-23 / Micro3 / TO-236AB (2,9 x 1,3 x 1,0 mm, paso de 1,9 mm)

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Descripción

The IRLML6401TRPBF from Infineon Technologies (formerly International Rectifier) is a -12 V P-channel enhancement-mode HEXFET power MOSFET in a 3-pin SOT-23 (Micro3) package. Key specifications include -12 V drain-source voltage, -4.3 A continuous drain current, 50 mΩ maximum RDS(on) at VGS = -4.5 V, -0.55 V typical threshold voltage, 10 nC total gate charge, and 1.3 W power dissipation. The device uses trench MOSFET technology for ultra-low on-resistance. Operating temperature range is -55°C to +150°C (TJ). The TRPBF suffix denotes tape-and-reel, Pb-free, halogen-free packaging.

The IRLML6401 from Infineon (originally International Rectifier) is a P-channel power MOSFET in the industry-standard SOT-23 (Micro3) surface-mount package. The IRLML6401TRPBF is the tape-and-reel, Pb-free, halogen-free version. It is one of the most popular P-channel MOSFETs for low-voltage load switching applications, with extensive multi-source availability.

The -12 V drain-source rating and -4.3 A continuous current capability make it ideal for Li-ion battery-powered applications where a high-side P-channel switch is needed. The 50 mΩ maximum RDS(on) at VGS = -4.5 V results in only 215 mW of conduction loss at 4.3 A, well within the 1.3 W package rating with modest PCB copper area.

The low threshold voltage (VGS(th) = -0.55 V typical, -1.0 V maximum) allows the IRLML6401 to be driven directly from 1.8 V logic. At VGS = -2.5 V, RDS(on) increases to approximately 80-90 mΩ but remains usable for moderate current loads, making 1.8 V/2.5 V GPIO-driven load switches practical.

The 10 nC total gate charge enables switching frequencies up to several hundred kHz with minimal gate-drive loss, suitable for DC-DC converter applications where a P-channel high-side switch is preferred over a bootstrap-driven N-channel.

The SOT-23 package provides RθJA of approximately 75-100°C/W depending on PCB layout. With the large drain tab soldered to a copper pour with thermal vias, the device can handle its full rated current in continuous operation.

Note: Infineon has designated the IRLML6401TRPBF-1 as discontinued (replaced by IRLML6401TRPBF). However, the device remains widely available from distributors with over 139K units in stock at Farnell alone. Multiple second-source manufacturers (VBsemi, Kexin, Born) produce compatible versions.

**P-Channel Enhancement MOSFET:** The IRLML6401 is a P-channel enhancement-mode MOSFET. Current flows from source to drain when the gate-source voltage is negative (VGS 0.6 V. This diode is relevant in half-bridge and synchronous rectifier applications where it conducts during dead time.

Pin Nombre Tipo Descripción
1 Puerta I Gate input; controls channel formation; VGS(th) = -0.55V typ; VGS max ±8V; 10nC gate charge; ESD protected; drive from MCU GPIO through series resistor
2 Fuente P Source terminal; typically connected to VCC rail (high-side switch); current flows from source to drain when on; body diode anode
3 Drenaje O Drain terminal; connects to load; -4.3A continuous; -12V max VDS; body diode cathode; large tab for thermal dissipation on PCB
Aplicación Descripción
High-Side Load Switch P-channel as high-side switch between battery and load; MCU GPIO drives gate through resistor; source to battery, drain to load; no charge pump needed; 50mΩ at -4.5V gives <50mV drop at 1A; suitable for 3.3V/5V subsystem power control
Battery Protection / Reverse Polarity Prevent reverse battery connection; P-channel in series with battery; gate tied through Zener to source; conducts only when battery polarity correct; -12V rating covers single-cell Li-ion
DC-DC Converter High-Side Switch P-channel high-side in async buck or inverting buck-boost; 10nC Qg supports 200-500kHz switching; gate driven from controller output; use when bootstrap N-channel drive is impractical
Modelo Fabricante Compatibilidad Diferencia clave
IRLML6402TRPBF Infineon Series Variant (20V) -20V VDS; -3.6A ID; 65mΩ@-4.5V; same SOT-23; higher voltage rating; lower current; use for 12V bus applications
SI2301DS-T1-GE3 Vishay Equivalente funcional -20V P-ch; -2.2A; 90mΩ@-4.5V; SOT-23; Vishay-sourced alternative; higher voltage rating
AO3401A Alpha & Omega Competitive Upgrade -30V P-ch; -4.3A; 36mΩ@-4.5V; SOT-23; lower RDS(on); higher voltage; use for improved efficiency
DMG2305UX-13 Diodos Inc Alternativa competitiva -20V P-ch; -4.2A; 48mΩ@-4.5V; SOT-23; similar specs; Diodes Inc-sourced alternative
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N-Channel StrongIRFET, 150V, 104A, 11mΩ RDS(on), TO-220AB, high power

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TO-220AB (10.67×4.83×9.02 mm, Through-Hole)
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P-Channel power MOSFET, -55V, -12A, 0.175 Ohm RDS(on), TO-220AB, fully avalanche rated

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TO-220AB (10.54 x 4.69 x 19.30 mm, 3 pins + tab)
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16Kbit SPI F-RAM, 2Kx8, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 8-TDFN, EEPROM replacement

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8-TDFN (4×4.5mm)
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-50V P-ch MOSFET, 50mOhm RDS(on), 50A, SOT-223, logic-level gate, automotive

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SOT-223 (6.5 x 3.5 x 1.6 mm)
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64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, SOIC-8/DFN-8

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SOIC-8 (4.9 x 3.9mm) / DFN-8 (4.0 x 3.0mm)
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64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

Marca:

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SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
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Garantía de calidad

Todos los componentes electrónicos que obtenemos de nuestras cadenas de suministro asociadas se someten a estrictas inspecciones de entrada. Mediante pruebas minuciosas, nos aseguramos de que todo lo que se entrega a los clientes son piezas originales genuinas y cumple los requisitos de calidad. Además, mantenemos registros de inspección completos para que todo el proceso de la cadena de suministro sea claro y rastreable.

Certificación
Hemos obtenido una serie de certificaciones profesionales y construido nuestro propio laboratorio de pruebas profesional.Esto asegura que cada producto que entregamos a nuestros clientes cumple con los más altos requisitos de calidad.Llevamos a cabo pruebas en estricta conformidad con los procedimientos para garantizar la calidad del producto estable y parámetros precisos.Para garantizar piezas originales genuinas, también cooperamos con instituciones de pruebas de terceros confiables para la inspección de calidad estricta.Siempre damos gran importancia a la calidad y cumplimos plenamente con las normas de la industria, los reglamentos pertinentes y los requisitos de la norma ISO 9001:2015.

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Servicio y embalaje

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