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IRF7313TRPBF

Dual N-ch MOSFET, 30V, 6.5A, 29mOhm, SO-8, logic-level

10230

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制造商零件：

IRF7313TRPBF

包装：

SO-8 (5.0 x 4.0 x 1.5 mm)

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说明

产品概览

The IRF7313TRPBF from Infineon Technologies is a dual N-channel HEXFET Power MOSFET in an SO-8 surface-mount package. Rated at 30V VDS with 6.5A per channel and 29mOhm RDS(on), it is designed for low-voltage power management and synchronous rectification.

主要规格

VDS 30V
ID (Per Channel) 6.5A
RDS(on) Max 29mOhm @ VGS=10V
RDS(on) Max @ 4.5V 46mOhm
Qg (Typical) 22nC @ 10V
配置 Dual N-Channel (Common Source)
功率耗散 2W
包装 SO-8

特点

  • Dual N-channel in compact SO-8 package
  • Logic-level gate drive (4.5V compatible)
  • Low RDS(on): 29mOhm @ 10V
  • Low gate charge: 22nC typical
  • Fast switching with dynamic dv/dt rating
  • RoHS compliant, lead-free

应用

  • DC-DC buck/boost converter switches
  • Motor drive half-bridge stages
  • Load switch and power routing
  • Battery management systems
  • Notebook and desktop VRM stages

The IRF7313TRPBF is a dual N-channel enhancement mode HEXFET Power MOSFET from Infineon Technologies, featuring 30V drain-source voltage rating and 6.5A continuous drain current per channel in a compact SO-8 package. The low on-resistance of 29mOhm at 10V VGS (46mOhm at 4.5V) combined with low gate charge (22nC) makes it highly efficient for synchronous buck converters and motor drive applications. The logic-level gate threshold enables direct drive from 5V or 3.3V microcontrollers.

The IRF7313 integrates two independent N-channel MOSFETs on a single die in an SO-8 package. Each MOSFET operates as a voltage-controlled switch: applying a gate-source voltage above the threshold (1V min) creates a conductive channel. The trench gate technology minimizes cell size and RDS(on). The dual configuration supports half-bridge, synchronous rectification, and push-pull topologies. The body diode inherent in each MOSFET provides reverse conduction path for inductive load switching. Low gate charge enables high-frequency operation (>500kHz) in switching power supplies.

针脚 名称 类型 功能
1 S1 资料来源 Source of MOSFET 1
2 G1 大门 Gate of MOSFET 1
3 S2 资料来源 Source of MOSFET 2
4 G2 大门 Gate of MOSFET 2
5,6,7,8 D1/D2 排水 Common drain (both MOSFETs)
  • Synchronous buck converter for CPU/GPU VRM
  • Half-bridge motor drive in robotics
  • DC-DC point-of-load converters
  • Battery charge/discharge switching
  • Power multiplexing in redundant systems
制造商 部件编号 包装 说明
英飞凌 IRF7316TRPBF SO-8 Dual N-ch, 30V, 6.5A, lower RDS(on)
Vishay Si4936DY SO-8 Dual N-ch, 30V, 6.2A
onsemi FDS6930A SO-8 Dual N-ch, 30V, 6.9A
Nexperia PMV65XPEA SO-8 Dual N-ch, 30V, 5.8A
推荐部件

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FM25CL64B-GTR

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

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封装:

SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
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