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IRF7313TRPBF

Dual N-ch MOSFET, 30V, 6.5A, 29mOhm, SO-8, logic-level

10230

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Pieza del fabricante：

IRF7313TRPBF

Paquete：

SO-8 (5.0 x 4.0 x 1.5 mm)

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Manual del producto
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Descripción

Productos

The IRF7313TRPBF from Infineon Technologies is a dual N-channel HEXFET Power MOSFET in an SO-8 surface-mount package. Rated at 30V VDS with 6.5A per channel and 29mOhm RDS(on), it is designed for low-voltage power management and synchronous rectification.

Especificaciones

VDS 30V
ID (Per Channel) 6.5A
RDS(on) Max 29mOhm @ VGS=10V
RDS(on) Max @ 4.5V 46mOhm
Qg (Typical) 22nC @ 10V
Configuración Dual N-Channel (Common Source)
Power Dissipation 2W
Paquete SO-8

Características

  • Dual N-channel in compact SO-8 package
  • Logic-level gate drive (4.5V compatible)
  • Low RDS(on): 29mOhm @ 10V
  • Low gate charge: 22nC typical
  • Fast switching with dynamic dv/dt rating
  • RoHS compliant, lead-free

Aplicaciones

  • DC-DC buck/boost converter switches
  • Motor drive half-bridge stages
  • Load switch and power routing
  • Battery management systems
  • Notebook and desktop VRM stages

The IRF7313TRPBF is a dual N-channel enhancement mode HEXFET Power MOSFET from Infineon Technologies, featuring 30V drain-source voltage rating and 6.5A continuous drain current per channel in a compact SO-8 package. The low on-resistance of 29mOhm at 10V VGS (46mOhm at 4.5V) combined with low gate charge (22nC) makes it highly efficient for synchronous buck converters and motor drive applications. The logic-level gate threshold enables direct drive from 5V or 3.3V microcontrollers.

The IRF7313 integrates two independent N-channel MOSFETs on a single die in an SO-8 package. Each MOSFET operates as a voltage-controlled switch: applying a gate-source voltage above the threshold (1V min) creates a conductive channel. The trench gate technology minimizes cell size and RDS(on). The dual configuration supports half-bridge, synchronous rectification, and push-pull topologies. The body diode inherent in each MOSFET provides reverse conduction path for inductive load switching. Low gate charge enables high-frequency operation (>500kHz) in switching power supplies.

Pin Nombre Tipo Función
1 S1 Fuente Source of MOSFET 1
2 G1 Puerta Gate of MOSFET 1
3 S2 Fuente Source of MOSFET 2
4 G2 Puerta Gate of MOSFET 2
5,6,7,8 D1/D2 Drenaje Common drain (both MOSFETs)
  • Synchronous buck converter for CPU/GPU VRM
  • Half-bridge motor drive in robotics
  • DC-DC point-of-load converters
  • Battery charge/discharge switching
  • Power multiplexing in redundant systems
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
Infineon IRF7316TRPBF SO-8 Dual N-ch, 30V, 6.5A, lower RDS(on)
Vishay Si4936DY SO-8 Dual N-ch, 30V, 6.2A
onsemi FDS6930A SO-8 Dual N-ch, 30V, 6.9A
Nexperia PMV65XPEA SO-8 Dual N-ch, 30V, 5.8A
Recomendar piezas

IRFB4115PBF

N-Channel StrongIRFET, 150V, 104A, 11mΩ RDS(on), TO-220AB, high power

Marca:

Paquete:

TO-220AB (10.67×4.83×9.02 mm, Through-Hole)
En stock:
13762pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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IRF9Z24NPBF

P-Channel power MOSFET, -55V, -12A, 0.175 Ohm RDS(on), TO-220AB, fully avalanche rated

Marca:

Paquete:

TO-220AB (10.54 x 4.69 x 19.30 mm, 3 pins + tab)
En stock:
11526pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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FM25L16B-DGTR

16Kbit SPI F-RAM, 2Kx8, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 8-TDFN, EEPROM replacement

Marca:

Paquete:

8-TDFN (4×4.5mm)
En stock:
2853pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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IPD50P04P4L11ATMA1

-50V P-ch MOSFET, 50mOhm RDS(on), 50A, SOT-223, logic-level gate, automotive

Marca:

Paquete:

SOT-223 (6.5 x 3.5 x 1.6 mm)
En stock:
14947pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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FM25CL64B

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, SOIC-8/DFN-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9mm) / DFN-8 (4.0 x 3.0mm)
En stock:
13087pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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FM25CL64B-GTR

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
En stock:
14066 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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Garantía de calidad

Todos los componentes electrónicos que obtenemos de nuestras cadenas de suministro asociadas se someten a estrictas inspecciones de entrada. Mediante pruebas minuciosas, nos aseguramos de que todo lo que se entrega a los clientes son piezas originales genuinas y cumple los requisitos de calidad. Además, mantenemos registros de inspección completos para que todo el proceso de la cadena de suministro sea claro y rastreable.

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