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W25N01GVZEJR


汽车级 1Gb (128MB) SLC NAND 串行闪存,带 SPI/Dual/Quad I/O 接口,采用 WSON-8 封装,符合 AEC-Q100 Grade 2 标准,工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。.

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制造商零件:

W25N01GVZEJR

包装:

WSON-8(8 x 6 x 0.73 毫米,裸露焊盘)

品牌:
产品类别:
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说明

W25N01GVZEJR 是 Winbond Electronics 制造的符合汽车标准的 1G 位(128M 字节)串行 SLC NAND 闪存设备。它属于 W25N SpiFlash 系列,为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。该器件支持标准 SPI、双 SPI 和四 SPI 接口,时钟频率高达 104 MHz,等效数据传输速率为 208 MHz(双 I/O)和 416 MHz(四 I/O)。后缀 ‘J ’表示通过了汽车级认证(AEC-Q100 Grade 2),工作温度范围扩展到 -40°C 至 +105°C,适合汽车电子应用。该器件具有用于自动检测和纠正错误的片上 1 位 ECC(纠错码)、带查找表 (LUT) 的坏块管理、用于高效代码阴影的连续读取模式以及用于安全存储的 10 个 2KB OTP 页。存储器阵列分为 65,536 个可编程页,每个页 2,048 字节,每个块 64 页(128KB 块擦除),共有 1,024 个可擦除块。.

W25N01GVZEJR 通过串行外设接口 (SPI) 运行,使用六个标准信号:芯片选择 (/CS)、串行时钟 (CLK)、数据输入/IO0 (DI)、数据输出/IO1 (DO)、写保护/IO2 (/WP) 和保持/IO3 (/HOLD)。在标准 SPI 模式下,数据通过 DI 和 DO 串行传输。在双 SPI 模式下,数据同时在 IO0 和 IO1 上传输;在四 SPI 模式下,所有四条 I/O 线(IO0-IO3)都用于双向数据传输。该器件支持两种读取模式:缓冲区读取模式(ZE 封装 ‘R ’变体的默认模式)要求在读取前使用页面数据读取命令将页面加载到 2,048 字节的数据缓冲区,而连续读取模式允许使用单个读取命令跨页面边界进行连续读取--非常适合代码阴影。写入时需要使用页面数据加载命令来填充内部缓冲区,然后使用程序执行命令将页面编程到 NAND 阵列中。块擦除一次可擦除 64 页(128KB)。基于 Hamming 代码的内置 1 位 ECC 引擎可在读取操作过程中自动纠正单位错误和检测双位错误,同时坏块管理 LUT 允许主机映射出有缺陷的块,并用保留的良好块替换它们。.

引脚 1 (/CS):芯片选择 - 低电平有效,选择设备进行 SPI 通信。.
引脚 2(DO/IO1):串行数据输出/I/O1 - 标准 SPI 中的数据输出;双路/四路 SPI 中的双向 I/O。.
引脚 3 (/WP/IO2):写保护 / I/O2 - 在标准 SPI 中保护状态寄存器免受写操作;在四通道 SPI 中为双向 I/O。.
引脚 4(GND):接地 - 设备接地参考。.
引脚 5(DI/IO0):串行数据输入/I/O0 - 标准 SPI 中的数据输入;双路/四路 SPI 中的双向 I/O。.
引脚 6(CLK):串行时钟 - SPI 时钟输入,频率高达 104 MHz。.
引脚 7(/HOLD/IO3):保持/I/O3:在标准 SPI 中,暂停串行通信而不取消选择设备;在四通道 SPI 中为双向 I/O。.
引脚 8(VCC):电源 - 2.7V 至 3.6V 工作电压。WSON 封装底部的裸露焊盘提供散热,必须连接至接地。.

汽车信息娱乐系统和主机 - 可存储固件、导航地图和媒体数据,符合 AEC-Q100 2 级标准。.
ADAS(高级驾驶辅助系统)--将校准数据和算法参数存储在内置 ECC 的可靠 SLC NAND 中。.
工业控制和自动化 - 在恶劣环境下(-40°C 至 +105°C)进行数据记录、固件存储和系统配置备份。.
物联网网关和边缘设备 - 通过持续读取模式,在启动时将 Linux 内核和文件系统的代码阴影从 NAND 复制到 DRAM。.
网络设备(路由器、交换机、GPON) - 用于固件映像和配置数据的非易失性存储器,具有高耐用性(100,000 次以上的程序/擦除周期)。.
消费电子产品--智能显示器、可穿戴设备和机顶盒,要求 8 引脚的紧凑尺寸和高密度(1Gb)存储。.

GD5F1GQ4UAYIG (GigaDevice) - 1Gb SPI NAND,WSON-8,3V,引脚兼容基底面。.
MX35LF1G24AD-Z4I (Macronix) - 1Gb SPI NAND、WSON-8、3V、工业级。.
MT29F1G01AAADD (Micron) - 1Gb SPI NAND,WSON-8,3V,替代供应商选项。.
W25N01KVZEIR (Winbond) - 1Gb SPI NAND,WSON-8,3V,新一代 W25N-KV 系列,带 4 位 ECC。.
W25N01GVZEIG (Winbond) - 同系列的 1Gb SPI NAND、WSON-8、3V、工业级(-40°C 至 +85°C)变体。.

推荐部件
256Mbit SPI NOR 闪存,四路 SPI 104MHz,50MB/s,4KB 扇区,3/4 字节地址,SOIC-16,-40~85°C,停产

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封装:

SOIC-16(300 密耳,10.3 x 7.5 x 2.35 毫米,1.27 毫米间距)
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128Mbit SPI NOR 闪存,标准/双/四 SPI,133MHz,SOIC-8,-40~85C,100K 周期

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封装:

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127946 件

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64Mbit SPI NOR 闪存,133 MHz 四路 SPI,2.7-3.6V,SOIC-8

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质量保证

我们从合作供应链采购的所有电子元件都经过严格的进货检验。通过仔细的测试,我们确保交付给客户的所有产品都是原装正品,符合质量要求。此外,我们还保存完整的检验记录,使整个供应链流程清晰可查。.

认证
我们获得了多项专业认证,并建立了自己的专业检测实验室,确保交付给客户的每一件产品都符合最高质量要求。我们严格按照流程进行检测,确保产品质量稳定、参数准确。为保证原装正品,我们还与可靠的第三方检测机构合作,进行严格的质量检测。我们始终高度重视质量,完全符合行业标准、相关法规和 ISO 9001:2015 的要求。.

发货与付款

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