Memoria flash serie SLC NAND de 1 Gb (128 MB) para automoción con interfaz de E/S SPI/Dual/Quad en encapsulado WSON-8, homologada según AEC-Q100 Grado 2 con un rango de funcionamiento de -40 °C a +105 °C.
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W25N01GVZEJR
WSON-8 (8 x 6 x 0,73 mm, almohadilla expuesta)
El W25N01GVZEJR es un dispositivo de memoria NAND Flash SLC serie de 1 G bit (128 M bytes) apto para automoción fabricado por Winbond Electronics. Pertenece a la familia SpiFlash W25N y proporciona una solución de almacenamiento para sistemas con espacio, pines y energía limitados. El dispositivo admite interfaces SPI estándar, SPI dual y SPI cuádruple con frecuencias de reloj de hasta 104 MHz, proporcionando velocidades de transferencia de datos equivalentes de 208 MHz (E/S dual) y 416 MHz (E/S cuádruple). El sufijo ‘J’ indica la cualificación para automoción (AEC-Q100 Grado 2), lo que amplía el rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +105°C y lo hace idóneo para aplicaciones electrónicas de automoción. El dispositivo incorpora ECC (código de corrección de errores) de 1 bit en el chip para la detección y corrección automática de errores, gestión de bloques defectuosos con una tabla de consulta (LUT), modo de lectura continua para un ensombrecimiento eficiente del código y diez páginas OTP de 2 KB para un almacenamiento seguro. La matriz de memoria está organizada en 65.536 páginas programables de 2.048 bytes cada una, con 64 páginas por bloque (128 KB de borrado de bloque) y un total de 1.024 bloques borrables.
El W25N01GVZEJR funciona a través de una Interfaz Periférica Serie (SPI) utilizando seis señales estándar: Chip Select (/CS), Serial Clock (CLK), Data In/IO0 (DI), Data Out/IO1 (DO), Write Protect/IO2 (/WP), y Hold/IO3 (/HOLD). En el modo SPI estándar, los datos se transfieren en serie en DI y DO. En el modo Dual SPI, los datos se transfieren simultáneamente por IO0 e IO1, y en el modo Quad SPI, las cuatro líneas de E/S (IO0-IO3) se utilizan para la transferencia bidireccional de datos. El dispositivo soporta dos modos de lectura: El Modo de Lectura en Buffer (por defecto para las variantes ZE-package ‘R’) requiere un comando de Lectura de Datos de Página para cargar una página en el buffer de datos de 2.048 bytes antes de leer, mientras que el Modo de Lectura Continua permite la lectura secuencial a través de los límites de página con un único comando de Lectura - ideal para shadowing de código. La escritura implica un comando de carga de datos de página para llenar el búfer interno, seguido de un comando de ejecución de programa para programar la página en la matriz NAND. El borrado en bloque borra 64 páginas (128 KB) a la vez. El motor ECC de 1 bit basado en código Hamming corrige automáticamente los errores de un solo bit y detecta los errores de doble bit durante las operaciones de lectura, mientras que la LUT de gestión de bloques defectuosos permite al host localizar los bloques defectuosos y sustituirlos por bloques buenos reservados.
Pin 1 (/CS): Chip Select - activo bajo, selecciona el dispositivo para la comunicación SPI.
Pin 2 (DO/IO1): Salida de datos serie / E/S1 - salida de datos en SPI estándar; E/S bidireccional en Dual/Quad SPI.
Pin 3 (/WP/IO2): Write Protect / I/O2 - protege los registros de estado de operaciones de escritura en SPI estándar; E/S bidireccional en Quad SPI.
Pin 4 (GND): Tierra - referencia de tierra del dispositivo.
Pin 5 (DI/IO0): Serial Data In / I/O0 - entrada de datos en SPI estándar; I/O bidireccional en Dual/Quad SPI.
Pin 6 (CLK): Reloj serie - Entrada de reloj SPI, frecuencias de hasta 104 MHz.
Pin 7 (/HOLD/IO3): Hold / I/O3 - pausa la comunicación serie sin deseleccionar el dispositivo en SPI estándar; I/O bidireccional en Quad SPI.
Pin 8 (VCC): Fuente de alimentación - tensión de funcionamiento de 2,7V a 3,6V. Una almohadilla expuesta en la parte inferior del paquete WSON proporciona alivio térmico y debe conectarse a GND.
Sistemas de infoentretenimiento y unidades principales para automóviles: almacena firmware, mapas de navegación y datos multimedia con la cualificación AEC-Q100 Grado 2.
ADAS (sistemas avanzados de asistencia al conductor): almacena los datos de calibración y los parámetros del algoritmo en una NAND SLC fiable con ECC integrado.
Control industrial y automatización: registro de datos, almacenamiento de firmware y copia de seguridad de la configuración del sistema en entornos difíciles (de -40 °C a +105 °C).
Pasarelas IoT y dispositivos periféricos: shadowing de código de kernels Linux y sistemas de archivos de NAND a DRAM en el arranque mediante el modo de lectura continua.
Equipos de red (routers, conmutadores, GPON): almacenamiento no volátil para imágenes de firmware y datos de configuración con alta resistencia (más de 100.000 ciclos de programación/borrado).
Electrónica de consumo: pantallas inteligentes, wearables y decodificadores que requieren un tamaño compacto de 8 patillas con almacenamiento de alta densidad (1 Gb).
GD5F1GQ4UAYIG (GigaDevice) - NAND SPI de 1 Gb, WSON-8, 3 V, huella compatible con pines.
MX35LF1G24AD-Z4I (Macronix) - NAND SPI de 1 Gb, WSON-8, 3 V, calidad industrial.
MT29F1G01AAADD (Micron) - NAND SPI de 1 Gb, WSON-8, 3 V, opción de proveedor alternativo.
W25N01KVZEIR (Winbond) - NAND SPI de 1 Gb, WSON-8, 3 V, serie W25N-KV de nueva generación con ECC de 4 bits.
W25N01GVZEIG (Winbond) - 1Gb SPI NAND, WSON-8, 3V, variante de grado industrial (-40°C a +85°C) de la misma familia.
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Ciclo de carga: 3~7 días
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