BAT760-7

BAT760-7 是 Diodes Incorporated 生产的表面贴装肖特基势垒整流器，具有 30 V 的峰值重复反向电压和 1 A 的平均整流输出电流。肖特基势垒结构在 IF = 10 mA 时具有 245 mV 的典型低正向压降，在 IF = 100 mA 时为 320 mV，在 IF = 1 A 时最大为 495 mV，从而最大限度地减少了电源管理电路中的传导损耗。.

该器件具有较低的反向漏电流，在 VR = 5 V 时典型值为 3.0 μA，在 VR = 15 V 时最大值为 50 μA，在 1 MHz 和 VR = 5 V 时总结电容典型值为 25 pF。非重复性峰值正向浪涌电流额定值为 5.5 A（8.3 ms 单半正弦波），具有强大的瞬态处理能力。.

BAT760-7 采用 SOD-323 (SC-76) 封装，尺寸为 1.7 x 1.3 x 1.05 mm，适用于空间有限的应用。它在 FR-5 板上的额定耗散功率为 235 mW，热阻为 426°C/W（结点至环境），工作结温范围为 -65°C 至 +150°C。该器件无铅，符合 MSL-1 级标准，采用卷带包装（每卷 3000 件）。.

BAT760-7 采用肖特基势垒整流器，利用金属半导体（肖特基）结而不是传统的 P-N 结。.

正向传导：当施加超过势垒电位的正向偏置电压时（阳极相对于阴极为正极），多数载流子（电子）以最小的能量损失穿过金属-半导体结。肖特基势垒高度本身就比 P-N 结的开启电压低，因此正向压降非常低（10 mA 时典型值为 245 mV）。与硅 P-N 二极管相比，低 VF 可直接转化为更低的功率耗散（P = VF × IF），从而提高功率转换效率。.

反向阻断：在反向偏压下（阴极相对于阳极为正极），肖特基结会阻断电流流动。但是，金属半导体结的击穿电压低于同等结构的 P-N 结。BAT760-7 的额定反向阻断电压为 30 V，保证击穿电压最低为 30 V（IR = 500 μA）。反向漏电流会随温度升高而增大，这是肖特基结构的特性权衡。.

快速开关：由于肖特基二极管是多数载流子器件，因此不存在与少数载流子重组相关的反向恢复电荷 (Qrr)。开关速度仅受结电容（25 pF typ）的限制，实现了快速换向，而不会出现 P-N 二极管的反向恢复电流尖峰。这使得 BAT760-7 成为高频开关应用的理想之选。.

浪涌处理：在瞬态正向浪涌事件（如浪涌电流、热插拔）期间，器件可处理高达 5.5 A 的峰值（8.3 ms 单半正弦波）而不会损坏。只要结温保持在额定范围内，瞬态消退后器件即可恢复正常工作。.