onsemi 的 NTJD4001NT1G 是一款双 N 沟道增强型小信号 MOSFET，采用 6 引脚 SC-88 (SOT-363/SC-70-6) 封装（2.0 x 1.25 x 0.9 mm）。两个通道共享一个共源（引脚 3）。每个通道的主要规格30 V VDSS、250 mA 连续漏极电流、VGS=4V 时 1.0 Ω 典型 RDS(on)、VGS=4V 时 1.5 Ω 最大 RDS(on)、1.2 V 典型 VGS(th)、0.9 nC 总栅极电荷、20 pF 输入电容、17-ns 接通延迟、82-ns 下降时间和 272 mW 功率耗散。栅极具有 ESD 保护。工作温度范围为 -55°C 至 +150°C (TJ)。.
Onsemi 的 NTJD4001NT1G 是一款双 N 沟道小信号 MOSFET，专为锂离子电池供电的便携式设备（如手机、PDA 和数码相机）而设计。两个 MOSFET 共用一个源引脚，因此该器件非常适合半桥、负载开关和电平转换应用，在这些应用中，两个晶体管都连接到相同的接地基准。.
30 V 的漏源电压额定值为锂离子电池应用（2.7-4.2 V）提供了充足的余量，同时还支持 5 V 和 12 V 逻辑电平开关。在 VGS = 4 V 时，1.0Ω 的典型 RDS(on) 使 250 mA 时的传导损耗仅为 62.5 mW，完全符合 272 mW 的封装额定值。.
0.9 nC 的栅极电荷（VGS = 5 V 时的典型值）极低，能够以最小的栅极驱动功率实现快速开关。因此，NTJD4001N 适用于栅极驱动损耗必须降至最低的高频 DC-DC 转换器应用（高达数 MHz）。.
ESD 保护栅极可承受处理和装配过程中的静电放电事件，这在大批量消费电子产品制造中是一个实际优势。1.2 V 的典型阈值电压允许 MOSFET 从 1.8 V 逻辑电压直接驱动（在 VGS = 2.5 V 时，RDS（on）增至 2.5 Ω）。.
SC-88 (SOT-363) 封装仅占电路板面积 2.5 mm²，是目前最小的双 MOSFET 封装之一。MSL-1 等级确保了焊接前的无限底板寿命。.
符合 AEC-Q101 标准的汽车合格版本（NVTJD4001NT1G）可用于汽车应用。.
共源配置意味着在需要不同源电压时，两个 MOSFET 不能独立使用。若要使用具有隔离源的独立双 N 沟道 MOSFET，可考虑使用 NTJD4002NT1G 或 2N7002KVT1G。.
** N 沟道增强型 MOSFET：** 每个沟道都是 N 沟道增强型 MOSFET。当 VGS 低于阈值（VGS(th) = 1.2 V 典型值）时，不会形成沟道，漏极-源极路径为高阻抗（关断状态）。当 VGS 超过 VGS(th) 时，栅极氧化物下面会形成反相层，从而在漏极和源极之间形成导电沟道。随着反转层的增强，沟道电阻（RDS(on)）会随着 VGS 的增大而减小。.
**共源配置：** 两个 MOSFET 共享引脚 3（源 1 = 源 2）。这种配置适用于低端开关都连接到地的半桥电路，以及负载都返回到同一地的负载开关对。共享源极将引脚数从 8 个减少到 6 个，从而实现了微型 SC-88 封装。.
** ESD 保护栅极：** 栅极端子包括内部 ESD 保护结构（通常是齐纳钳位或背靠背二极管），可将 ESD 能量从薄栅极氧化物分流出去。这种保护允许在不采取特殊预防措施的情况下进行处理和组装，同时栅极氧化物仍受到静电事件的保护，达到指定的 ESD 额定值。.
**体二极管：** 每个 MOSFET 从源极到漏极都有一个固有的体（寄生）二极管（当 VSD > 0.65 V 时为正向偏压）。该二极管在半桥开关的死区时间内导通，在电路设计中必须加以考虑。12.4 ns 的反向恢复时间足以满足大多数低功耗开关应用的要求。.
| 针脚 | 名称 | 类型 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 1 | 排水 1 | O | 通道 1 漏极；最大 30V；持续 250mA；连接至负载或半桥节点 |
| 2 | 1 号门 | I | 通道 1 栅极；ESD 保护；开关用 1.8-5V 逻辑驱动；VGS 最大 ±20V；0.9nC 栅极电荷 |
| 3 | 资料来源 1/2 | P/G | 两个通道的共用源；通常与地相连，用于低端开关；每个通道最大 250mA |
| 4 | 2 号门 | I | 通道 2 闸门；独立闸门控制；特性与闸门 1 相同 |
| 5 | 排水 2 | O | 通道 2 漏极；独立漏极连接；额定电压/电流与漏极 1 相同 |
| 6 | 排水 2 | O | 通道 2 漏极（与引脚 5 并联）；引脚 5 和引脚 6 均为内部连接；在 PCB 上连接在一起 |
| 应用 | 说明 |
|---|---|
| 锂离子电池负载开关 | 共源双 MOSFET 作为低端负载开关，用于两个独立的电池供电子系统；MCU GPIO 以 1.8-3.3V 电压驱动栅极；4V 时 1Ω RDS(on)，100mA 时 <100mV 压降；ESD 保护栅极可经受操作 |
| 半桥 DC-DC 转换器 | 两个 N 沟道 MOSFET 组成同步降压转换器半桥；共源 = 接地；栅极 1 = 高压侧，栅极 2 = 低压侧（反之亦然）；0.9nC 栅极电荷可实现 MHz 开关；5V/12V 输入降压转换器的额定电压为 30V |
| 逻辑级电压转换器 | 从 1.8V 逻辑电压到 3.3V/5V 总线的开漏电平转换；每个 MOSFET 通过 RDS(on) 拉低一条总线线路；栅极由低压逻辑驱动；漏极上拉电阻器设置高电平；与总线协议双向 |
| 模型 | 制造商 | 兼容性 | 主要区别 |
|---|---|---|---|
| NVTJD4001NT1G | onsemi | 汽车版本 | 相同芯片；通过 AEC-Q101 认证；SOT-363；用于需要认证的汽车应用 |
| NTJD4002NT1G | onsemi | 系列变体（隔离源） | 具有独立源引脚的双 N 沟道 MOSFET；8 引脚封装；在两个 MOSFET 需要不同源电压时使用 |
| 2N7002KVT1G | onsemi | 功能性替代方案 | 双 N 沟道 MOSFET；60V；300mA；SC-88；独立源；额定电压更高；用于更高电压开关 |
| BSS138DW-7-F | 二极管公司 | 竞争性替代方案 | 双 N 沟道 MOSFET；50V；220mA；SC-88；共源；规格相似；用作 SC-88 中双 N 沟道的备用源 |
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