NTJD4001NT1G

El NTJD4001NT1G de onsemi es un MOSFET doble de señal pequeña y canal N diseñado específicamente para dispositivos portátiles alimentados por baterías de ión-litio, como teléfonos móviles, PDA y cámaras de fotos digitales. Los dos MOSFET comparten una patilla de fuente común, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de medio puente, conmutación de carga y cambio de nivel en las que ambos transistores se conectan a la misma referencia de tierra.

La tensión nominal de drenaje-fuente de 30 V proporciona un amplio margen para aplicaciones con baterías de iones de litio (2,7-4,2 V) y también admite conmutación a nivel lógico de 5 V y 12 V. El RDS(on) típico de 1,0-Ω a VGS = 4 V da como resultado una pérdida de conducción de sólo 62,5 mW a 250 mA, muy por debajo del valor nominal del encapsulado de 272 mW.

La carga de puerta de 0,9 nC (típica a VGS = 5 V) es extremadamente baja, lo que permite una conmutación rápida con una potencia de accionamiento de puerta mínima. Esto hace que el NTJD4001N sea adecuado para aplicaciones de convertidores CC-CC de alta frecuencia (hasta varios MHz) en las que se deben minimizar las pérdidas de accionamiento de puerta.

La puerta con protección ESD puede soportar descargas electrostáticas durante la manipulación y el montaje, una ventaja práctica en la fabricación de electrónica de consumo de gran volumen. La tensión umbral típica de 1,2 V permite accionar los MOSFET directamente desde la lógica de 1,8 V (con RDS(on) que aumenta a 2,5 Ω a VGS = 2,5 V).

El encapsulado SC-88 (SOT-363) ocupa sólo 2,5 mm² de superficie de placa, lo que lo convierte en uno de los encapsulados MOSFET duales más pequeños disponibles. La clasificación MSL-1 garantiza una vida útil ilimitada en el suelo antes de soldar.

Existe una versión calificada para automoción (NVTJD4001NT1G) que cumple la norma AEC-Q101.

La configuración de fuente común significa que los dos MOSFET no pueden utilizarse de forma independiente cuando se requieren tensiones de fuente diferentes. Para MOSFETs de doble canal N independientes con fuentes aisladas, considere el NTJD4002NT1G o el 2N7002KVT1G.

**MOSFET de mejora de canal N:** Cada canal es un MOSFET de modo de mejora de canal N. Con VGS por debajo del umbral (VGS(th) = 1,2 V típico), no se forma ningún canal y la ruta drenaje-fuente es de alta impedancia (estado desactivado). Cuando VGS supera VGS(th), se forma una capa de inversión bajo el óxido de la puerta, creando un canal conductor entre el drenaje y la fuente. La resistencia del canal (RDS(on)) disminuye con el aumento de VGS a medida que se fortalece la capa de inversión.

**Configuración de fuente común:** Ambos MOSFET comparten la patilla 3 (fuente 1 = fuente 2). Esta configuración es natural para circuitos de medio puente en los que ambos interruptores de lado bajo se conectan a tierra, y para pares carga-interruptor en los que ambas cargas vuelven a la misma tierra. La fuente compartida reduce el número de patillas de 8 a 6, lo que permite el diminuto encapsulado SC-88.

**Puerta con protección ESD:** El terminal de puerta incluye estructuras internas de protección ESD (normalmente una abrazadera Zener o diodos back-to-back) que alejan la energía ESD del fino óxido de la puerta. La protección permite la manipulación y el montaje sin precauciones especiales, mientras que el óxido de la puerta permanece protegido contra eventos electrostáticos hasta el valor nominal de ESD especificado.

**Diodo de cuerpo:** Cada MOSFET tiene un diodo de cuerpo (parásito) inherente de la fuente al drenaje (polarizado hacia delante cuando VSD > 0,65 V). Este diodo conduce durante el tiempo muerto en la conmutación de medio puente y debe tenerse en cuenta en el diseño del circuito. El tiempo de recuperación inversa de 12,4 ns es suficientemente rápido para la mayoría de las aplicaciones de conmutación de bajo consumo.