ESD7951ST5G

onsemi 的 ESD7951 是一款双向 ESD 保护二极管，专为超低电容应用而设计。ESD7951ST5G 是 SOD-923 卷带式版本，每卷 8000 个。该器件的结电容仅为 0.5 pF，适用于电容负载必须降至最低的高频信号路径 - USB 2.0 高速（480 Mbps）、HDMI、射频天线线路和其他阻抗控制接口。.

双向配置可保护在地面上下摆动的信号线，因此适用于交流耦合和差分对接口。5 V 反向工作电压 (VRWM) 涵盖 3.3 V 和 5 V 逻辑轨，而 1 A 时的 12.9 V 箝位电压可确保受保护的集成电路在静电放电冲击期间看到有限的电压。.

SOD-923 封装仅占电路板面积 0.6 mm²，外形尺寸 0.5 mm，是目前最小的 ESD 保护封装之一。这对于 PCB 面积极其有限的智能手机、平板电脑和可穿戴设备来说至关重要。.

此外，ESD7951 还提供符合 AEC-Q101 标准的汽车合格版本 (SZESD7951ST5G)，适用于汽车应用。.

注：LCSC 清单将此部件标记为停产，但 onsemi 的 ESD7951 产品系列仍在生产。在设计新产品之前，请与授权分销商核实当前的供货情况。.

**双向 TVS 二极管结构：** ESD7951 在单个芯片中使用背靠背齐纳二极管，为正向和负向 ESD 瞬态提供对称箝位。正常工作时（电压在 -VRWM 和 +VRWM 之间），两个二极管均反向偏置，只消耗漏电流（最大 1 µA）。当正瞬态电压超过 VBR 时，上部齐纳二极管发生雪崩并箝位电压。当负瞬态电压超过 -VBR 时，下部齐纳二极管导通。.

**超低电容设计：** 0.5 pF 电容是通过专门的结型几何设计实现的，这种设计可最大限度地减小耗尽区面积，同时保持足够的雪崩能量吸收。这对于 USB 2.0 高速来说至关重要，因为 USB 2.0 规范限制了每条 D+/D- 线路的总电容负载。.

**箝位机制：** 在 IEC 61000-4-2 ESD 事件（8 kV 接触电压、15 kV 空气电压）期间，二极管在亚纳秒级的时间内发生雪崩，将 ESD 电流从受保护的集成电路分流出去。箝位电压（1 A 时为 12.9 V）表示受保护器件在事件中承受的电压。较低的箝位电压可提供更好的保护。.