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ESD7951ST5G

Diodo ESD bidireccional, 5V Vrwm, 0,5pF, 12,9V clamp@1A, SOD-923, protección USB/antena

696

Inventario efectivo

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Pieza del fabricante：

ESD7951ST5G

Paquete：

SOD-923 (1,0 x 0,6 x 0,5 mm, paso de 0,65 mm)

Marca：

Categorías de productos：

Diodos, Circuitos integrados IC

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Descripción

El ESD7951ST5G de onsemi es un diodo de protección ESD bidireccional de capacidad ultrabaja en un encapsulado SOD-923 de 2 patillas (1,0 x 0,6 mm). Proporciona una tensión de trabajo de 5 V, una tensión de bloqueo de 12,9 V a una corriente de impulso máxima de 1 A, una capacitancia de unión de 0,5 pF y una corriente de fuga máxima de 1 µA. El dispositivo protege frente a eventos ESD IEC 61000-4-2. Su capacitancia ultrabaja lo hace adecuado para líneas de señal de alta frecuencia como USB 2.0 High-Speed y trayectos de antena. El rango de temperatura de funcionamiento es de -55°C a +125°C. El sufijo T5G indica un embalaje de cinta y carrete de 8000 unidades.

Introducción del producto:ESD7951ST5G Presentación del producto

El ESD7951 de onsemi es un diodo de protección ESD bidireccional diseñado para aplicaciones de capacidad ultrabaja. El ESD7951ST5G es la versión de cinta y carrete SOD-923 con 8000 unidades por carrete. Con sólo 0,5 pF de capacitancia de unión, el dispositivo está optimizado para rutas de señal de alta frecuencia en las que la carga capacitiva debe minimizarse: USB 2.0 de alta velocidad (480 Mbps), HDMI, líneas de antena de RF y otras interfaces de impedancia controlada.

La configuración bidireccional protege las líneas de señal que oscilan tanto por encima como por debajo de tierra, por lo que es adecuada para interfaces de pares acoplados en CA y diferenciales. La tensión de trabajo inversa de 5 V (VRWM) cubre los raíles lógicos de 3,3 V y 5 V, mientras que la tensión de bloqueo de 12,9 V a 1 A garantiza que el CI protegido vea una tensión limitada durante un golpe de ESD.

El paquete SOD-923 ocupa sólo 0,6 mm² de superficie de placa con un perfil de 0,5 mm, lo que lo convierte en uno de los paquetes de protección ESD más pequeños disponibles. Esto es fundamental para smartphones, tabletas y wearables, donde el espacio de la placa de circuito impreso es extremadamente limitado.

El ESD7951 también está disponible en una versión calificada para automoción (SZESD7951ST5G) con conformidad AEC-Q101 para aplicaciones de automoción.

Nota: El listado LCSC marca esta pieza como descatalogada, pero la familia de productos ESD7951 de onsemi sigue en producción. Verifique la disponibilidad actual con los distribuidores autorizados antes de diseñar nuevos productos.

Principio de funcionamiento:ESD7951ST5G Principio de funcionamiento

**Estructura del diodo TVS bidireccional:** El ESD7951 utiliza diodos Zener espalda con espalda en un único chip, lo que proporciona un bloqueo simétrico para transitorios de ESD positivos y negativos. En funcionamiento normal (tensión entre -VRWM y +VRWM), ambos diodos tienen polarización inversa y sólo consumen corriente de fuga (1 µA máx.). Cuando un transitorio positivo excede VBR, el diodo Zener superior se avalancha y bloquea la tensión. Cuando un transitorio negativo supera -VBR, el diodo Zener inferior conduce.

**Diseño de capacitancia ultrabaja:** La capacitancia de 0,5 pF se consigue mediante una geometría de unión especializada que minimiza el área de la región de agotamiento al tiempo que mantiene una absorción de energía de avalancha adecuada. Esto es fundamental para USB 2.0 High-Speed, donde la especificación limita la carga capacitiva total por línea D+/D-.

**Mecanismo de bloqueo:** Durante un evento ESD IEC 61000-4-2 (8 kV contacto, 15 kV aire), el diodo se avalancha en subnanosegundos, desviando la corriente ESD fuera del CI protegido. La tensión de bloqueo (12,9 V a 1 A) representa la tensión que experimenta el dispositivo protegido durante el evento. Una tensión de bloqueo más baja proporciona una mejor protección.

Descripción de la clavija:ESD7951ST5G Definición y funciones de las clavijas

Pin	Nombre	Tipo	Descripción
1	E/S	E/S	Terminal de protección ESD; conectar a línea de señal protegida; bidireccional; tensión de trabajo 5V; capacitancia 0,5pF a GND
2	GND	G	Referencia de tierra; conectar al plano de tierra de la placa de circuito impreso a través del camino más corto; se recomienda vía en placa para baja inductancia.

Application Scenarios:In which products and applications isESD7951ST5G usado

Aplicación	Descripción
Protección ESD de alta velocidad USB 2.0	Protege las líneas D+/D- de los puertos USB 2.0 HS (480 Mbps); 0,5 pF por línea, muy por debajo del presupuesto de capacitancia de las especificaciones USB; se coloca a menos de 3 mm del conector; se combina con una reactancia de modo común para una protección total.
Protección de la línea de antena de RF	Protege la línea de alimentación de la antena de ESD en el conector expuesto; la capacitancia de 0,5pF no desajusta la adaptación de impedancia de 2,4/5GHz; la sujeción bidireccional se adapta a las rutas de RF acopladas en CA.
Protección de señal HDMI/DisplayPort	Protegen los pares diferenciales de alta velocidad; la capacitancia ultrabaja preserva la integridad de la señal; un diodo por línea colocado cerca del conector.

Alternative Models:What chips are recommended as replacements for ESD7951ST5G

Modelo	Fabricante	Compatibilidad	Diferencia clave
ESD7951SOT5G	onsemi	Variante de paquete	Mismo chip en encapsulado SOT-523 (1,6×0,8 mm); ocupa más espacio pero es más fácil de montar; se utiliza cuando SOD-923 es demasiado pequeño para la capacidad de fabricación.
PRTR5V0U2X	Nexperia	Equivalente funcional	Diodo ESD bidireccional; 5V Vrwm; 0,8pF; SOT-143B; capacitancia ligeramente superior; incluye diodo de sujeción de carril adicional.
TPD2E001DRLR	TI	Alternativa competitiva	Protección ESD de 2 canales; 0,5pF por canal; SOT-533; 2 en 1 integrado ahorra espacio en la placa frente a dos diodos independientes