产品概览
FQP47P06 是 onsemi(前身为 Fairchild)的 -60 V P 沟道增强型功率 MOSFET,采用 QFET 平面条纹 DMOS 技术。该器件采用通孔 TO-220 封装,在 VGS = -10 V 时可提供 -47 A 连续漏极电流,最大 RDS(on) 为 26 mΩ。该器件通过了 100% 雪崩测试,单脉冲雪崩能量为 820 mJ,非常适合高压侧开关、SMPS 和音频放大器应用。.
主要规格
| VDS | -60 V |
| 身份证(连续) | -47 A @ TC = 25 °C / -21.2 A @ TC = 100 °C |
| RDS(on) | 21 mΩ typ / 26 mΩ max @ VGS = -10 V |
| VGS(th) | -2.0 V 至 -4.0 V |
| Qg | 典型值 84 nC / 最大值 110 nC |
| 西斯 | 典型值 2800 pF / 最大值 3600 pF |
| PD | 160 W @ TC = 25 °C |
| 雪崩能源(EAS) | 820 mJ(单脉冲) |
| 体二极管 VSD | 最大 -4.0 V @ -30 A |
| 工作温度 | -55 °C 至 +175 °C |
| 包装 | TO-220(10.67 x 4.7 x 9.4 毫米,通孔) |
特点
- QFET 平面条纹 DMOS 技术可实现低 RDS(on)和出色的开关性能
- 100% 经过雪崩测试,确保在电感负载应用中坚固耐用
- 低栅极电荷 (84 nC) 和低 Crss (320 pF) 优化了开关效率
- P 沟道消除了高压侧开关应用对电荷泵的要求
- 160 W 功率耗散,采用标准 TO-220 封装
应用
- SMPS 高压侧开关
- 音频放大器输出级
- 直流电机 H 桥驱动(P 沟道侧)
- 电池反极性保护
- 功率因数校正 (PFC)