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FQP47P06

-MOSFET de potencia QFET de canal P de -60V, TO-220, -47A, RDS(on) 26m ohm máx @ -10V, 160W, 820mJ EAS, 84nC Qg, -55C a +175C.

14149

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Pieza del fabricante：

FQP47P06

Paquete：

TO-220 (10,67 x 4,7 x 9,4 mm, agujero pasante)

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Descripción

Productos

El FQP47P06 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de -60 V de onsemi (anteriormente Fairchild), que utiliza la tecnología DMOS de banda plana QFET. En un encapsulado TO-220 con orificio pasante, proporciona una corriente de drenaje continua de -47 A con una RDS(on) máxima de 26 mΩ a VGS = -10 V. El dispositivo se ha sometido a pruebas de avalancha 100% con una energía de avalancha de pulso único de 820 mJ, lo que lo hace idóneo para aplicaciones de conmutación de lado alto, SMPS y amplificadores de audio.

Especificaciones

VDS -60 V
ID (continuo) -47 A @ TC = 25 °C / -21,2 A @ TC = 100 °C
RDS(on) 21 mΩ típ / 26 mΩ máx @ VGS = -10 V
VGS(th) -2,0 V a -4,0 V
Qg 84 nC típ. / 110 nC máx.
Ciss 2800 pF típico / 3600 pF máx.
PD 160 W @ TC = 25 °C
Energía de avalancha (EAS) 820 mJ (impulso único)
Cuerpo Diodo VSD -4,0 V máx. @ -30 A
Temperatura de funcionamiento -55 °C a +175 °C
Paquete TO-220 (10,67 x 4,7 x 9,4 mm, agujero pasante)

Características

  • Tecnología QFET DMOS de banda plana para un bajo RDS(on) y un excelente rendimiento de conmutación
  • El 100% ha sido sometido a pruebas de avalancha que garantizan su robustez en aplicaciones de carga inductiva
  • La baja carga de puerta (84 nC) y el bajo Crss (320 pF) optimizan la eficiencia de conmutación
  • El canal P elimina el requisito de bomba de carga para aplicaciones de interruptor de lado alto
  • Potencia disipada de 160 W en encapsulado TO-220 estándar

Aplicaciones

  • Conmutación de lado alto SMPS
  • Etapa de salida del amplificador de audio
  • Accionamiento del puente en H del motor de CC (lado del canal P)
  • Protección contra polaridad inversa de la batería
  • Corrección del factor de potencia (PFC)

El FQP47P06 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de -60 V de onsemi (anteriormente Fairchild) que utiliza la tecnología DMOS de banda plana QFET. Proporciona una corriente de drenaje continua de -47 A y una RDS(on) máxima de 26 m ohm en un encapsulado TO-220. Con una disipación de potencia de 160 W, una carga de puerta de 84 nC y una energía de avalancha de impulso único de 820 mJ, está optimizado para conmutación de lado alto, SMPS, amplificadores de audio y control de motores de CC. 100% avalancha probada.

El MOSFET de canal P conduce cuando un VGS negativo por debajo del umbral (-2 a -4 V) crea una capa de inversión de huecos que conecta la fuente con el drenador. Dado que la movilidad de los huecos es menor que la de los electrones, los dispositivos de canal P tienen una RDS(on) 2 ó 3 veces mayor que los de canal N comparables, pero eliminan la necesidad de accionamiento de la compuerta de la bomba de carga en aplicaciones de conmutación de lado alto en las que la fuente se conecta a VDD. La tecnología QFET DMOS de banda plana optimiza la estructura de la célula para minimizar la RDS(on) y la Crss, mejorando la FOM de conmutación.

Pin TO-220 Función Descripción
1 Puerta Puerta Control; VGS(th) -2~-4V; +/-25V máx.
2 Drenaje Drenaje Terminal de alimentación; -60V; conectar a la carga
3 Fuente Fuente Referencia; conectar a VDD (lado alto); -47A
Pestaña Drenaje Disipador térmico Conectado eléctricamente al pin 2
  • Conmutación de lado alto SMPS
  • Etapa de salida del amplificador de audio
  • Puente en H del motor de CC (lado P-ch)
  • Protección contra polaridad inversa de la batería
  • Corrección del factor de potencia (PFC)
Modelo Tipo Notas
FQPF47P06 Compatible con PIN TO-220F Fullpack aislado; no necesita aislante
IRF4905 Equivalente funcional. Infineon -55V/-74A; TO-220; menor V mayor I
IRFR5305PBF Equivalente funcional. Infineon -55V/-31A; DPAK SMD
NDP6020P Equivalente funcional. onsemi -20V/-24A; RDS(on) ultrabajo; V bajo
Recomendar piezas

BSS84LT1G

P-Channel MOSFET, -50V, -130mA, 10Ω RDS(on), SOT-23 logic-level switch

Marca:

Paquete:

SOT-23-3 (2.9×1.3×1.0 mm)
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10761pcs

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1SMA5931BT3G

1.5W 18V Zener diode, SMA package, 5% tolerance, AEC-Q101, ESD Class 3

Marca:

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SMA (DO-214AC) (4.32 x 2.6 x 2.0 mm)
En stock:
7948pcs

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MRA4007T3G

1A, 1000V standard recovery rectifier, SMA package, glass passivated

Marca:

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SMA (DO-214AC), 2.60 x 5.10 x 1.00 mm
En stock:
2409 piezas

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MAX809STRG

3-pin uP reset monitor, push-pull RESET, 4.63V threshold, SOT-23

Marca:

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SOT-23-3
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3824 piezas

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MC34072DR2G

Dual bipolar op-amp, 4.5MHz GBW, 13V/μs slew, 3-44V single supply, SOIC-8

Marca:

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SOIC-8 (3.9 x 4.9 x 1.5mm)
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3480pcs

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LM2904DR2G

Dual automotive op-amp, 3-26V single supply, 1.1MHz GBW, AEC-Q100, SOIC-8

Marca:

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SOIC-8 (3.9 x 4.9 x 1.25mm)
En stock:
2409 piezas

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Todos los componentes electrónicos que obtenemos de nuestras cadenas de suministro asociadas se someten a estrictas inspecciones de entrada. Mediante pruebas minuciosas, nos aseguramos de que todo lo que se entrega a los clientes son piezas originales genuinas y cumple los requisitos de calidad. Además, mantenemos registros de inspección completos para que todo el proceso de la cadena de suministro sea claro y rastreable.

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Hemos obtenido una serie de certificaciones profesionales y construido nuestro propio laboratorio de pruebas profesional.Esto asegura que cada producto que entregamos a nuestros clientes cumple con los más altos requisitos de calidad.Llevamos a cabo pruebas en estricta conformidad con los procedimientos para garantizar la calidad del producto estable y parámetros precisos.Para garantizar piezas originales genuinas, también cooperamos con instituciones de pruebas de terceros confiables para la inspección de calidad estricta.Siempre damos gran importancia a la calidad y cumplimos plenamente con las normas de la industria, los reglamentos pertinentes y los requisitos de la norma ISO 9001:2015.

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