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FM25CL64B

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, SOIC-8/DFN-8

13087

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Pieza del fabricante：

FM25CL64B

Paquete：

SOIC-8 (4.9 x 3.9mm) / DFN-8 (4.0 x 3.0mm)

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Descripción

Productos

The FM25CL64B from Infineon Technologies is a 64Kbit (8K x 8) serial F-RAM with SPI interface. As a non-volatile memory employing advanced ferroelectric process, it provides NoDelay writes at bus speed, 100 trillion read/write cycle endurance, and 151-year data retention, offering a superior drop-in replacement for serial EEPROM and Flash memory.

Especificaciones

Memory Size 64Kbit (8KB)
Organization 8K x 8
Interface SPI (Mode 0 and 3)
Max Clock Frequency 20MHz
Tensión de alimentación 2.7V to 3.65V
Write Endurance 100 trillion (10^14) cycles
Data Retention 151 years @ 65°C
Active Current 200μA @ 1MHz
Standby Current 3μA typ.
Package Options SOIC-8, DFN-8
Temperatura de funcionamiento -40°C to +85°C

Características

  • NoDelay writes at bus speed
  • 100 trillion (10^14) read/write cycle endurance
  • 151-year data retention at 65°C
  • Hardware and software write protection
  • Supports SPI Mode 0 and Mode 3
  • Direct hardware replacement for serial EEPROM
  • Low power: 200μA active, 3μA standby
  • AEC-Q100 qualified

Aplicaciones

  • Industrial automation and data logging
  • Smart metering
  • Automotive electronics
  • Medical equipment
  • Enterprise storage systems

The FM25CL64B from Infineon Technologies is the base product number for a family of 64Kbit (8K x 8) serial F-RAM devices with SPI interface. Using an advanced ferroelectric process, this non-volatile memory performs read and write operations similar to RAM with no write delays. With 100 trillion read/write cycle endurance and 151-year data retention, it eliminates the need for wear leveling and provides a direct hardware replacement for serial EEPROM and Flash memory in applications requiring frequent or rapid writes.

The FM25CL64B uses ferroelectric RAM (F-RAM) technology where each memory cell stores data using ferroelectric polarization of a perovskite crystal. Unlike conventional Flash or EEPROM that use floating-gate charge storage requiring high-voltage erase/program cycles, F-RAM writes data by applying an electric field that switches the ferroelectric polarization. This process is inherently fast and does not require charge pumps, enabling NoDelay bus-speed writes. The read-restore mechanism ensures data integrity: each read operation also refreshes the cell. The SPI interface supports both Mode 0 and Mode 3 at clock rates up to 20MHz.

Pin Nombre Tipo Función
1 CS Entrada Active-low chip select
2 SO Salida SPI serial data output
3 WP Entrada Write protect input
4 VSS Potencia Suelo
5 SI Entrada SPI serial data input
6 SCK Entrada SPI serial clock
7 HOLD Entrada Suspend serial operation
8 VDD Potencia Supply voltage (2.7-3.65V)
  • Industrial data logging with high-frequency writes
  • Smart meter cumulative energy and event storage
  • Automotive ECU calibration and configuration data
  • Medical device patient data and event logs
  • Enterprise RAID controller write-log caching
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
Infineon FM25CL64B-GTR SOIC-8 Tape and reel version
Infineon FM25CL64B-DGTR DFN-8 DFN package version
Infineon FM25V02A-GTR SOIC-8 256Kbit F-RAM upgrade
Rohm BR24G128FVT-3AGE2 SOIC-8 128Kbit EEPROM alternative
Microchip AT25SF041-SSHB SOIC-8 4Mbit SPI Flash alternative
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IRFB4115PBF

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Ciclo de carga: 3~7 días
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En stock:
14947pcs

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FM25CL64B-GTR

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
En stock:
14066 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
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Marca:

Paquete:

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En stock:
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