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FM25L16B-DGTR

16Kbit SPI F-RAM, 2Kx8, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 8-TDFN, EEPROM replacement

2853

Inventario efectivo
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Pieza del fabricante：

FM25L16B-DGTR

Paquete：

8-TDFN (4x4.5mm)

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Descripción

Productos

The FM25L16B-DGTR from Infineon (formerly Ramtron/Cypress) is a 16Kbit (2K x 8) serial F-RAM memory with SPI interface operating up to 20MHz. Offering 100 trillion (10^14) read/write cycles and 151-year data retention at 65°C, it provides NoDelay writes and serves as a drop-in EEPROM replacement. Housed in 8-TDFN (4×4.5mm), it operates from 2.7V to 3.6V.

Especificaciones

Tipo de memoria F-RAM (Ferroelectric RAM)
Densidad 16 Kbit
Organization 2K x 8
Interface SPI (Mode 0 & 3)
Max Clock Frequency 20 MHz
Tensión de alimentación 2,7V ~ 3,6V
Write Endurance 10^14 (100 trillion) read/write cycles
Data Retention 151 years @ 65°C
Active Current 200 μA @ 1MHz
Standby Current 3 μA (typical)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C
Paquete 8-TDFN (4×4.5mm)
Estado de las piezas Activo

Características

  • 100 trillion (10^14) read/write cycles — 100 million times more than EEPROM
  • 151-year data retention at 65°C
  • NoDelay writes — no write delay or polling needed
  • 20MHz SPI interface compatible with SPI Mode 0 and Mode 3
  • Hardware and software write protection with block protect
  • Drop-in replacement for serial EEPROM
  • Low power: 200μA active, 3μA standby
  • RoHS compliant, halogen-free

Aplicaciones

  • Data logging and frequent-write applications
  • Control industrial y automatización
  • Metering and smart grid
  • Automotive systems (non-critical)
  • Configuration storage in networking equipment

The FM25L16B-DGTR from Infineon is a 16-kilobit nonvolatile F-RAM (Ferroelectric RAM) memory organized as 2,048 x 8 bits. Unlike EEPROM, F-RAM performs writes at bus speed with no write delay, eliminating the need for data polling between write operations. The device supports 100 trillion (10^14) read/write cycles, which is 100 million times more than typical EEPROM, making it ideal for applications requiring frequent or rapid writes. Data retention is guaranteed for 151 years at 65°C. The SPI interface supports clock frequencies up to 20MHz and is compatible with both SPI Mode 0 (CPOL=0, CPHA=0) and Mode 3 (CPOL=1, CPHA=1). The FM25L16B is a hardware drop-in replacement for serial EEPROM, offering dramatically better write endurance and speed without requiring changes to the SPI bus protocol.

The FM25L16B-DGTR uses ferroelectric capacitor technology to achieve nonvolatile data storage. Each memory cell contains a ferroelectric capacitor whose polarization state represents the stored data bit. Unlike EEPROM which uses floating-gate transistors requiring high-voltage programming and erase cycles, F-RAM writes data by applying a voltage to the ferroelectric capacitor, which switches its polarization state in nanoseconds. This eliminates the need for a charge pump and the associated write delay. The read operation senses the polarization state of the capacitor through a charge-sensing amplifier. Because the read operation is destructive (it flips the polarization), the data is automatically rewritten after each read. The SPI interface handles all command decoding, address latching, and data transfer operations.

Pin Nombre Tipo Descripción
1 /CS I Chip select (active low)
2 SO O Serial data output (MISO)
3 /WP I Write protect (protects status register)
4 VSS GND Suelo
5 SI I Serial data input (MOSI)
6 SCK I Serial clock
7 /HOLD I SPI hold (pauses serial communication)
8 VDD PWR Supply voltage (2.7V-3.6V)
  • Data Logging: Frequent sensor data writes in industrial and metering applications without wear concerns
  • Metering: Nonvolatile storage for calibration data and running totals in smart meters
  • Control industrial: Rapid configuration writes in PLCs and motor controllers
  • Networking: MAC address, serial number, and configuration storage with NoDelay writes
  • Automotive: Non-critical parameter storage with virtually unlimited endurance
Modelo Fabricante Diferencia clave
FM25L16B-GTR Infineon SOIC-8 package variant
FM25L04B-DGTR Infineon 4Kbit version, same pinout
FM25V01-G Infineon 16Kbit, wider voltage (1.5V-5.5V)
MB85RS16PNF-G-JNERE1 Fujitsu 16Kbit F-RAM, SPI, similar specs
AT25LN011 Microchip 1Mbit EEPROM (if endurance is not critical)
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Marca:

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64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

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SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
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Hemos obtenido una serie de certificaciones profesionales y construido nuestro propio laboratorio de pruebas profesional.Esto asegura que cada producto que entregamos a nuestros clientes cumple con los más altos requisitos de calidad.Llevamos a cabo pruebas en estricta conformidad con los procedimientos para garantizar la calidad del producto estable y parámetros precisos.Para garantizar piezas originales genuinas, también cooperamos con instituciones de pruebas de terceros confiables para la inspección de calidad estricta.Siempre damos gran importancia a la calidad y cumplimos plenamente con las normas de la industria, los reglamentos pertinentes y los requisitos de la norma ISO 9001:2015.

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