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IRFB4115PBF

N-Channel StrongIRFET, 150V, 104A, 11mΩ RDS(on), TO-220AB, high power

13762

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Pieza del fabricante：

IRFB4115PBF

Paquete：

TO-220AB (10.67×4.83×9.02 mm, Through-Hole)

Marca：
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Descripción

Productos

The Infineon IRFB4115PBF is a 150 V single N-channel StrongIRFET power MOSFET in a TO-220AB through-hole package. With extremely low RDS(on) of 9.3 mΩ typical (11 mΩ max at VGS = 10 V), 104 A continuous drain current, and 380 W power dissipation, it is optimized for low-frequency, high-current applications requiring ruggedness and efficiency.

Especificaciones

Channel Type N-Channel Enhancement
VDS 150 V
ID (Continuous) 104 A
RDS(on) typ / max @ VGS=10V 9.3 mΩ / 11 mΩ
VGS(th) 3.0 V ~ 5.0 V
Qg (Total Gate Charge) 77 nC typ
Qgd (Miller Charge) 26 nC
gfs (Transconductance) 97 S
Power Dissipation 380 W
RθJC 0.4 °C/W
Paquete TO-220AB (Through-Hole)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ +175°C
Energía de avalancha (EAS) 830 mJ

Características

  • Industry-standard TO-220 through-hole package with high current rating
  • Extremely low RDS(on) for minimal conduction losses
  • High-current capability: 104 A continuous at 25°C
  • Improved gate, avalanche, and dynamic dv/dt ruggedness
  • Softer body diode vs. previous generation for reduced ringing
  • 100 kHz silicon switching applications
  • Halogen-free and RoHS compliant

Aplicaciones

  • Uninterruptible power supplies (UPS) and offline UPS
  • DC-DC converters and synchronous rectification
  • Battery management systems and EV charging
  • Industrial automation and motor drives
  • Fuel-cell control units

The IRFB4115PBF from Infineon Technologies is a 150 V N-channel StrongIRFET power MOSFET designed for low-frequency applications requiring high current capability and low on-resistance. Part of the StrongIRFET family optimized for low RDS(on) and high current, this device features a typical RDS(on) of just 9.3 mΩ at VGS = 10 V and a continuous drain current rating of 104 A at 25°C. The TO-220AB package provides a proven through-hole mounting solution with excellent thermal performance (RθJC = 0.4 °C/W). The device also features 830 mJ single-pulse avalanche energy rating, enhanced body diode dv/dt and di/dt capability, and full capacitance and avalanche SOA characterization.

The IRFB4115PBF operates as a voltage-controlled N-channel enhancement-mode MOSFET. When VGS exceeds the threshold voltage (3.0-5.0 V), an inversion layer forms in the P-body region, creating an N-type channel between source and drain that allows current flow. The Trench MOSFET gate structure provides a high channel density, resulting in the ultra-low RDS(on) of 9.3 mΩ. The internal body diode (from source to drain) provides a natural freewheeling path for inductive loads. The device’s improved body diode exhibits softer reverse recovery characteristics compared to previous generation HEXFETs, reducing voltage spikes and ringing during switching transitions. The high avalanche energy rating (830 mJ) indicates the device can absorb significant energy during unclamped inductive switching events without failure.

Pin Nombre Tipo Función
1 Puerta (G) Entrada Gate control terminal
2 Drenaje (D) Potencia Drain terminal (connected to tab)
3 Fuente (S) Potencia Source terminal
Pestaña Drenaje Potencia Drain connection (electrically connected to pin 2)
  • UPS systems: Primary switching element in offline and high-frequency transformer-based uninterruptible power supplies
  • Battery management: High-current switching in EV battery pack management and charging systems
  • DC-DC converters: Synchronous rectification in high-current buck/boost converters for industrial power supplies
  • Motor drives: Low-frequency motor control in industrial automation equipment
  • Power tools: High-current switching for cordless power tool motor drives and battery protection
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
Infineon IRFB4110PBF TO-220AB 100V, 180A, lower voltage alternative
Infineon IRFB4127PBF TO-220AB 200V, 66A, higher voltage alternative
Infineon IRFB4115TRLPBF TO-220AB Tape and reel packaging variant
STMicroelectronics STW88NF150 TO-247 150V, 88A, larger package
onsemi FDB86361_F085 TO-263 150V, 80A, surface-mount alternative
Infineon IRFP4115PBF TO-247 150V, 104A, larger package for better thermal
Recomendar piezas

IRF9Z24NPBF

P-Channel power MOSFET, -55V, -12A, 0.175 Ohm RDS(on), TO-220AB, fully avalanche rated

Marca:

Paquete:

TO-220AB (10.54 x 4.69 x 19.30 mm, 3 pins + tab)
En stock:
11526pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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FM25L16B-DGTR

16Kbit SPI F-RAM, 2Kx8, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 8-TDFN, EEPROM replacement

Marca:

Paquete:

8-TDFN (4×4.5mm)
En stock:
2853pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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-50V P-ch MOSFET, 50mOhm RDS(on), 50A, SOT-223, logic-level gate, automotive

Marca:

Paquete:

SOT-223 (6.5 x 3.5 x 1.6 mm)
En stock:
14947pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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FM25CL64B

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, SOIC-8/DFN-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9mm) / DFN-8 (4.0 x 3.0mm)
En stock:
13087pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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FM25CL64B-GTR

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
En stock:
14066 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
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IRF7313TRPBF

Dual N-ch MOSFET, 30V, 6.5A, 29mOhm, SO-8, logic-level

Marca:

Paquete:

SO-8 (5.0 x 4.0 x 1.5 mm)
En stock:
10230pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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Garantía de calidad

Todos los componentes electrónicos que obtenemos de nuestras cadenas de suministro asociadas se someten a estrictas inspecciones de entrada. Mediante pruebas minuciosas, nos aseguramos de que todo lo que se entrega a los clientes son piezas originales genuinas y cumple los requisitos de calidad. Además, mantenemos registros de inspección completos para que todo el proceso de la cadena de suministro sea claro y rastreable.

Certificación
Hemos obtenido una serie de certificaciones profesionales y construido nuestro propio laboratorio de pruebas profesional.Esto asegura que cada producto que entregamos a nuestros clientes cumple con los más altos requisitos de calidad.Llevamos a cabo pruebas en estricta conformidad con los procedimientos para garantizar la calidad del producto estable y parámetros precisos.Para garantizar piezas originales genuinas, también cooperamos con instituciones de pruebas de terceros confiables para la inspección de calidad estricta.Siempre damos gran importancia a la calidad y cumplimos plenamente con las normas de la industria, los reglamentos pertinentes y los requisitos de la norma ISO 9001:2015.

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