产品概览
STD25NF20 是意法半导体的一款符合 AEC-Q101 标准的汽车 N 沟道功率 MOSFET，采用 STripFET 单特征尺寸带状工艺制造。该器件采用 DPAK (TO-252) 封装，在 VGS = 10 V 时具有 200 V 漏极-源极击穿电压、18 A 连续漏极电流和 0.10 Ω 的典型 RDS(on)。.
主要规格
| VDS | 200 V |
| 身份证（连续） | 18 A @ TC = 25 °C / 11 A @ TC = 100 °C |
| RDS(on) | 0.10 Ω typ / 0.125 Ω max @ VGS = 10 V |
| VGS(th) | 2 V 至 4 V |
| Qg | 典型值 28 nC / 最大值 39 nC |
| 西斯 | 940 pF |
| PD | 110 瓦 @ TC = 25 °C |
| 雪崩能源（EAS） | 110 mJ（单脉冲） |
| dv/dt | 15 V/ns |
| 工作温度 | -55 °C 至 +175 °C |
| 包装 | DPAK / TO-252（6.6 x 6.2 x 2.4 毫米） |
| 资格 | AEC-Q101 汽车 |
特点
- STripFET 单特征尺寸条带工艺，可实现高电池密度和低 RDS(on)
- 100% 经过雪崩测试，电感负载坚固耐用
- 低栅极电荷（28 nC typ）降低了驱动损耗
- 出色的 dv/dt 能力（15 V/ns），适用于空转应用
- 热阻低：Rth(j-c) = 1.38 °C/W
应用
- 汽车 48 V 电机驱动器
- 汽车负载开关和继电器更换
- 直流-直流转换器
- 汽车照明驱动因素
- 工业开关应用
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