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PSMN9R5-30YLC

30V N-ch MOSFET, 9.8mΩ RDSon, 44A, logic-level 4.5V, LFPAK56, NextPower

6541

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制造商零件：

PSMN9R5-30YLC

包装：

LFPAK56 / Power-SO8 / SOT669 (5 x 6 x 1.0mm)

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说明

产品概览

The PSMN9R5-30YLC from Nexperia (formerly NXP) is a 30V N-channel logic-level MOSFET in an LFPAK56 (Power-SO8) package using NextPower Superjunction technology. With RDS(on) of 8.3mΩ typ. at VGS=10V and 44A continuous drain current, it is optimized for 4.5V gate drive in DC-DC converters and synchronous buck regulators.

主要规格

VDS (Drain-Source Voltage) 30V
RDS(on) max @ VGS=10V 9.8mΩ
RDS(on) max @ VGS=4.5V 12.1mΩ
ID (Continuous Drain Current) 44A
Ptot (Power Dissipation) 34W
VGS(th) Threshold 1.66V typ.
QG(tot) @ VGS=4.5V 5nC typ.
QG(tot) @ VGS=10V 10.4nC typ.
QGD 1.6nC typ.
Qrr (Reverse Recovery) 18nC typ.
CISS 681pF typ.
COSS 169pF typ.
包装 LFPAK56 / Power-SO8 (SOT669)
Max Junction Temperature 175°C

特点

  • NextPower Superjunction technology
  • Ultra-low RDS(on): 8.3mΩ typ. @ 10V
  • Logic-level gate drive optimized for 4.5V
  • Ultra-low QG, QGD, and QOSS for high efficiency
  • High reliability LFPAK56 package qualified to 175°C
  • Low parasitic inductance and resistance
  • 44A continuous current capability

应用

  • DC-DC converters (buck, boost, buck-boost)
  • Synchronous buck regulator low-side switch
  • Load switching and power management
  • Motor drive and battery management
  • Point-of-load power supplies

The PSMN9R5-30YLC from Nexperia (formerly NXP) is an N-channel enhancement-mode logic-level MOSFET in the space-saving LFPAK56 (Power-SO8) package utilizing NextPower Superjunction technology. With RDS(on) of just 9.8mΩ max at VGS=10V and optimized performance at 4.5V gate drive, it delivers ultra-low QG (5nC at 4.5V), QGD (1.6nC), and QOSS for high system efficiency at both light and heavy loads. The LFPAK56 package offers low parasitic inductance and resistance with 175°C junction temperature capability.

The PSMN9R5-30YLC is an N-channel enhancement-mode MOSFET constructed using NextPower Superjunction technology. Superjunction architecture uses alternating p-type and n-type columns in the drift region, allowing higher doping concentration without sacrificing breakdown voltage, resulting in dramatically lower RDS(on) per unit area. The logic-level gate threshold (VGS(th) = 1.66V typ.) enables direct drive from 3.3V or 5V logic, while the low gate charge (QG = 5nC at 4.5V) minimizes gate drive power dissipation at high switching frequencies. The body diode provides reverse conduction in synchronous buck applications with Qrr = 18nC.

针脚 名称 类型 功能
1 资料来源 电源 Source terminal (also connected to tab)
2 大门 输入 Gate control terminal
3 排水 电源 Drain terminal (via tab to heatsink)
4 资料来源 电源 Source terminal (mirrored)
  • Synchronous buck converter low-side MOSFET for VRM/POL
  • DC-DC buck-boost converter power stage in battery systems
  • High-side load switch with logic-level gate drive
  • Motor H-bridge power stage in battery-powered tools
  • Battery management system switching element
制造商 部件编号 包装 说明
Nexperia PSMN7R0-30YLC LFPAK56 Lower RDSon 7mΩ, same family
Nexperia PSMN4R8-30YLC LFPAK56 Even lower RDSon 4.8mΩ
英飞凌 BSZ040N08LS5 SuperSO-8 30V, 4mΩ, logic level
TI CSD17312Q5 SON-5×6 30V, 9.7mΩ, NexFET
onsemi NTMFS4C316N PQFN-5×6 30V, 7.1mΩ, logic level
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SENSOR4F (17.78 x 29.48 x 10.67 mm, dual side ports)
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