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IRF6215PBF

P-Channel HEXFET MOSFET, -150V, -13A, 0.29Ohm, TO-220

3580

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Pieza del fabricante：

IRF6215PBF

Paquete：

TO-220 (15.6 x 10.4 x 4.7 mm)

Marca：
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Manual del producto
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Descripción

Productos

The IRF6215PBF from Infineon Technologies is a -150V P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 through-hole package. With 13A continuous drain current and 0.29 Ohm RDS(on), it provides efficient switching for high-side load driving and power management applications.

Especificaciones

VDS -150V
ID -13A (Tc=25C)
RDS(on) Max 0.29 Ohm @ VGS=-10V
VGS(th) -2V to -4V
Power Dissipation 110W (Tc=25C)
Qg (Typical) 66nC @ 10V
Paquete TO-220
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C

Características

  • Advanced process technology for low RDS(on)
  • Fast switching speed
  • Fully avalanche rated
  • 175°C operating junction temperature
  • Dynamic dv/dt rating
  • Lead-free option available

Aplicaciones

  • High-side load switching
  • Motor drive and control
  • Power supply ORing circuits
  • DC-DC converter switches
  • Automotive power management

The IRF6215PBF is a P-Channel HEXFET Power MOSFET from Infineon Technologies utilizing advanced process technology to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. Rated at -150V drain-source voltage and -13A continuous drain current, it offers 0.29 Ohm maximum on-resistance with 110W power dissipation capability. The TO-220 package enables efficient thermal management in high-power applications. This fifth-generation HEXFET combines fast switching speed and ruggedized design, making it suitable for high-side switching and power management circuits.

The IRF6215 operates as a voltage-controlled P-channel switch. Applying a negative gate-source voltage (beyond the threshold of -2V to -4V) creates a conductive channel between source and drain, allowing current to flow. The trench MOSFET structure minimizes on-resistance while maintaining fast switching through reduced gate charge (66nC typical). The device is fully avalanche rated, meaning it can absorb inductive energy spikes without external clamping. A body diode provides inherent reverse conduction for bridge and motor drive applications.

Pin Nombre Tipo Función
1 Puerta Entrada Gate control terminal
2 Drenaje Salida Drain terminal (tab)
3 Fuente Potencia Source terminal
  • High-side load switching in power distribution
  • Motor H-bridge drive circuits
  • DC-DC buck converter high-side switch
  • Battery disconnect and protection circuits
  • Automotive reverse polarity protection
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
Infineon IRFR6215PBF D-PAK Surface mount version
Vishay IRF9Z34NPBF TO-220 P-ch, -60V, -18A
Infineon IRFU6215PBF I-PAK Through-hole, compact
STMicroelectronics STP16NF06L TO-220 N-ch alternative, 60V/16A
Recomendar piezas

IRFB4115PBF

N-Channel StrongIRFET, 150V, 104A, 11mΩ RDS(on), TO-220AB, high power

Marca:

Paquete:

TO-220AB (10.67×4.83×9.02 mm, Through-Hole)
En stock:
13762pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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IRF9Z24NPBF

P-Channel power MOSFET, -55V, -12A, 0.175 Ohm RDS(on), TO-220AB, fully avalanche rated

Marca:

Paquete:

TO-220AB (10.54 x 4.69 x 19.30 mm, 3 pins + tab)
En stock:
11526pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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FM25L16B-DGTR

16Kbit SPI F-RAM, 2Kx8, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 8-TDFN, EEPROM replacement

Marca:

Paquete:

8-TDFN (4×4.5mm)
En stock:
2853pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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IPD50P04P4L11ATMA1

-50V P-ch MOSFET, 50mOhm RDS(on), 50A, SOT-223, logic-level gate, automotive

Marca:

Paquete:

SOT-223 (6.5 x 3.5 x 1.6 mm)
En stock:
14947pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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FM25CL64B

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, SOIC-8/DFN-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9mm) / DFN-8 (4.0 x 3.0mm)
En stock:
13087pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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FM25CL64B-GTR

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
En stock:
14066 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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Garantía de calidad

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Certificación
Hemos obtenido una serie de certificaciones profesionales y construido nuestro propio laboratorio de pruebas profesional.Esto asegura que cada producto que entregamos a nuestros clientes cumple con los más altos requisitos de calidad.Llevamos a cabo pruebas en estricta conformidad con los procedimientos para garantizar la calidad del producto estable y parámetros precisos.Para garantizar piezas originales genuinas, también cooperamos con instituciones de pruebas de terceros confiables para la inspección de calidad estricta.Siempre damos gran importancia a la calidad y cumplimos plenamente con las normas de la industria, los reglamentos pertinentes y los requisitos de la norma ISO 9001:2015.

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