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FDMC3612

60V 26A N-ch MOSFET, 16mOhm @10V, PQFN 3x3mm, low Qg

10385

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Pieza del fabricante：

FDMC3612

Paquete：

PQFN-3x3 (Power33) (3.3 x 3.3 x 0.9 mm)

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Descripción

Productos

The FDMC3612 from onsemi (Fairchild) is a 60V N-channel MOSFET in a Power33 (PQFN-3×3) package. With 26A drain current and 16mOhm RDS(on) at 10V VGS, it is optimized for high-efficiency switching in DC-DC converters and motor drive applications.

Especificaciones

Tipo N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDSS 60V
ID (Continuous) 26A @ TC=25C
RDS(on) Max 16mOhm @ VGS=10V
RDS(on) Max 24mOhm @ VGS=4.5V
Qg (Typical) 17nC @ VGS=10V
Paquete PQFN-3×3 (Power33)
Temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ)

Características

  • Low RDS(on) of 16mOhm at 10V
  • High drain current of 26A
  • Low gate charge of 17nC for fast switching
  • Compact PQFN 3x3mm package
  • Exposed drain pad for thermal dissipation
  • RoHS compliant

Aplicaciones

  • DC-DC converter synchronous rectifier
  • Motor drive and load switch
  • Power management in notebooks
  • Battery protection and charging circuits
  • Industrial power switching

The FDMC3612 from onsemi (Fairchild) is a 60V N-channel MOSFET in a compact PQFN 3x3mm (Power33) package. Featuring 16mOhm maximum RDS(on) at 10V VGS and 26A continuous drain current, it is designed for high-efficiency switching applications. The low gate charge of 17nC enables fast switching with minimal driver loss. The exposed drain pad provides excellent thermal dissipation in a small footprint. This MOSFET is optimized for synchronous rectification in DC-DC converters, motor drive, and load switch applications.

The FDMC3612 is an N-channel enhancement mode vertical DMOS MOSFET. When the gate-source voltage exceeds the threshold (typically 2.1V), an inversion layer forms in the P-body region, creating a conductive channel between drain and source. Current flows from drain to source, proportional to VGS above threshold. The trench gate structure minimizes RDS(on) by increasing channel density. The low RDS(on) x Qg figure of merit (272mOhm*nC) enables efficient high-frequency switching. The body diode provides a natural freewheeling path for inductive loads during dead-time in synchronous buck converters.

Pin Nombre Tipo Función
1 Fuente Potencia Source terminal
2 Puerta Entrada Gate control terminal
3 Drain (Pad) Potencia Drain terminal / thermal pad
  • DC-DC converter low-side synchronous rectifier MOSFET
  • Motor drive H-bridge power stage
  • Notebook PC power management switching Battery protection and charge/discharge switching Industrial load switch and hot-swap control
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
onsemi FDMC3623 PQFN-3×3 60V, 9mOhm, higher current
Infineon BSZ060N06LS5ATMA1 PQFN-3×3 60V, 6mOhm, OptiMOS
Vishay SiR630DP PowerPAK SO-8 60V, 18mOhm, similar
onsemi FDBL86361 PQFN-3×3 60V, 7.5mOhm, upgrade
Recomendar piezas

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P-Channel MOSFET, -50V, -130mA, 10Ω RDS(on), SOT-23 logic-level switch

Marca:

Paquete:

SOT-23-3 (2.9×1.3×1.0 mm)
En stock:
10761pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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1SMA5931BT3G

1.5W 18V Zener diode, SMA package, 5% tolerance, AEC-Q101, ESD Class 3

Marca:

Paquete:

SMA (DO-214AC) (4.32 x 2.6 x 2.0 mm)
En stock:
7948pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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MRA4007T3G

1A, 1000V standard recovery rectifier, SMA package, glass passivated

Marca:

Paquete:

SMA (DO-214AC), 2.60 x 5.10 x 1.00 mm
En stock:
2409 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
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Marca:

Paquete:

SOT-23-3
En stock:
3824 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
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Marca:

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SOIC-8 (3.9 x 4.9 x 1.5mm)
En stock:
3480pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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LM2904DR2G

Dual automotive op-amp, 3-26V single supply, 1.1MHz GBW, AEC-Q100, SOIC-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (3.9 x 4.9 x 1.25mm)
En stock:
2409 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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