DMN2009LSS

El DMN2009LSS de Diodes Incorporated es un MOSFET de potencia en modo de mejora de un solo canal N en el encapsulado SO-8 estándar del sector. Con un valor nominal de drenaje-fuente de 20 V y una capacidad de corriente continua de 12 A, está dirigido a aplicaciones de gestión de potencia de alta corriente y bajo voltaje, incluidos convertidores CC-CC, conmutadores de carga y accionamientos de motor.

El RDS(on) máximo ultrabajo de 8 mΩ a VGS = 10 V (9 mΩ a 4,5 V, 12 mΩ a 2,5 V) se consigue mediante la tecnología MOSFET de zanja de Diodes. Con una carga de 10 A, la pérdida de conducción es de sólo 0,8 W (8 mΩ × 10²A), muy por debajo de la clasificación de 2 W del encapsulado con una superficie de cobre de PCB adecuada.

El umbral mínimo de tensión de 0,5 V garantiza que el dispositivo pueda controlarse a partir de señales de nivel lógico, mientras que el umbral máximo de 1,2 V garantiza una mejora total a 2,5 V. Esta amplia gama de umbrales significa que el dispositivo funciona bien tanto a 2,5 V como a 5 V, aunque RDS(on) es significativamente menor a 4,5 V y superiores.

El encapsulado SO-8 ofrece un buen equilibrio entre el manejo de corriente y el área de la placa de circuito impreso. El valor nominal de disipación de potencia de 2 W presupone un diseño térmico adecuado, normalmente una capa de cobre de 1 pulgada cuadrada en las patillas de drenaje con vías térmicas a los planos de tierra internos.

El DMN2009LSS forma parte de la familia DMN20xx de MOSFETs de canal N de 20 V de Diodes. Entre los dispositivos relacionados se incluyen el DMN2009USS (el mismo chip en una variante SO-8 diferente) y el DMN2016UTS (versión de doble canal N). La variante con sufijo -13 indica un embalaje de cinta y carrete.

Para aplicaciones que requieren cualificación en automoción, Diodes ofrece variantes cualificadas AEC-Q101 (identificadas con el sufijo ‘Q’).

**MOSFET de zanja de canal N:** El DMN2009LSS utiliza tecnología de puerta de zanja en la que se graban zanjas verticales en el silicio y el electrodo de puerta se forma dentro de estas zanjas. Esto crea una anchura de canal muy grande por unidad de área del troquel, lo que da como resultado el RDS(on) ultrabajo de 8 mΩ. El flujo de corriente vertical de la fuente (arriba) al drenaje (abajo) a través de la estructura de zanjas proporciona un manejo eficiente de la corriente.

**El rango de umbral de 0,5-1,2 V significa que el dispositivo puede accionarse desde niveles lógicos. A VGS = 4,5 V, RDS(on) es de 9 mΩ como máximo, sólo ligeramente superior que a 10 V. Esta optimización del nivel lógico hace que el dispositivo sea adecuado para el accionamiento directo de GPIO de MCU en aplicaciones de conmutación de carga. A VGS = 2,5 V, RDS(on) aumenta a 12 mΩ, todavía muy bajo para la mayoría de las aplicaciones.

**Diseño térmico del encapsulado SO-8:** El encapsulado SO-8 disipa el calor principalmente a través de los conductores de drenaje (patillas 5-8 para la configuración de un solo MOSFET) hacia el cobre de la placa de circuito impreso. El valor nominal de 2 W a 25°C requiere aproximadamente 1 pulgada cuadrada de cobre de 1 onza en las almohadillas de drenaje. Para una mayor disipación, las vías térmicas conectadas a los planos de cobre internos mejoran el rendimiento térmico.

**Diodo de cuerpo:** El diodo de cuerpo inherente de la fuente al drenaje tiene una tensión directa de aproximadamente 0,9 V a 1 A. En aplicaciones de rectificador síncrono, este diodo conduce durante el tiempo muerto entre las transiciones de conmutación del lado alto y el lado bajo.