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BSC098N10NS5ATMA1

N-Ch OptiMOS5 100V 31A 9.8mOhm, SuperSO-8, sync rect, DC-DC

7820

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Pieza del fabricante：

BSC098N10NS5ATMA1

Paquete：

SuperSO-8 (5.3 x 5.2 x 1.1mm)

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Descripción

Productos

The BSC098N10NS5ATMA1 from Infineon Technologies is an N-Channel OptiMOS 5 power MOSFET rated at 100V, 31A with 9.8mOhm maximum on-resistance. Designed for synchronous rectification and DC-DC converter applications, it features low RDS(on), low gate charge, and SuperJunction technology in a SuperSO-8 package.

Especificaciones

Fabricante Infineon Technologies
Channel Type N-Channel Enhancement
VDS 100V
ID (Continuous) 31A @ TC=25C
RDS(on) Max 9.8mOhm @ VGS=10V
RDS(on) Typ 8.3mOhm @ VGS=10V
VGS(th) 2.0V to 4.0V
Total Gate Charge 52nC @ VGS=10V
Figure of Merit (FOM) 430mOhm*nC
Power Dissipation 62W @ TC=25C
Paquete SuperSO-8 (5.3 x 5.2mm)
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C

Características

  • OptiMOS 5 100V technology
  • Ultra-low RDS(on): 9.8mOhm max
  • Low gate charge for high-frequency switching
  • Excellent Figure of Merit: 430mOhm*nC
  • SuperJunction technology for low conduction losses
  • Low output capacitance (Coss)
  • 100% avalanche tested
  • Repetitive avalanche rated
  • RoHS compliant

Aplicaciones

  • Synchronous rectification in DC-DC converters
  • Secondary-side rectification in telecom power supplies
  • Motor drive and load switches
  • Solar inverter applications
  • Battery protection and management

The Infineon BSC098N10NS5ATMA1 is a 100V N-Channel power MOSFET from the OptiMOS 5 family, built on SuperJunction technology. It achieves ultra-low on-resistance of 9.8mOhm maximum at VGS=10V, making it ideal for high-efficiency synchronous rectification and DC-DC converter applications. The low total gate charge of 52nC enables high-frequency switching with minimal driving losses. The excellent Figure of Merit (RDS(on) x Qg = 430mOhm*nC) positions this device as a market leader in the 100V class. The SuperSO-8 package provides low parasitic inductance and good thermal performance with a top-side cooling option. The device is 100% avalanche tested and rated for repetitive avalanche conditions.

The BSC098N10NS5ATMA1 operates as a voltage-controlled N-Channel MOSFET using SuperJunction technology: 1) SuperJunction Structure: Unlike conventional planar MOSFETs, the SuperJunction architecture uses alternating P and N columns in the drift region. This allows the drift region to be heavily doped for lower on-resistance while maintaining high breakdown voltage through charge balance between columns. 2) Conduction: At VGS=10V, the channel is fully enhanced, and the RDS(on) of 8.3mOhm typical provides very low conduction loss. At 31A, conduction loss is only 8W typical. 3) Switching: The low gate charge (52nC) enables rapid switching transitions. The gate driver must charge and discharge the input capacitance (Ciss), and the low Qgd (Miller charge) minimizes the switching plateau. 4) Avalanche: The device can safely absorb inductive energy during unclamped switching, with the junction temperature rising briefly but staying within safe limits.

Pin Nombre Tipo Función
1 Fuente Salida MOSFET source
2 Fuente Salida MOSFET source
3 Fuente Salida MOSFET source
4 Puerta Entrada MOSFET gate
5-8 Drenaje Salida MOSFET drain (connected to exposed pad)
  • Synchronous rectification in 48V telecom DC-DC converters
  • Secondary-side MOSFET in server power supply LLC stages
  • Motor drive half-bridge in battery-powered tools
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
Infineon BSC080N10NS5GATMA1 SuperSO-8 8mOhm, lower RDS(on)
Infineon IPP080N10N3GXKSA1 TO-220 8mOhm, through-hole
onsemi NTMFS5C612NLT1G PowerPAK-SO-8 100V, 6.1mOhm
Vishay SiRA12DP-T1-GE3 PowerPAK-SO-8 100V, 10mOhm
Recomendar piezas

IRFB4115PBF

N-Channel MOSFET, 150V, 104A, 11 mOhm RDS(on), TO-220, StrongIRFET

Marca:

Paquete:

TO-220 (through-hole, 3-pin)
En stock:
6283pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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IRF9Z24NPBF

P-Channel power MOSFET, -55V, -12A, 0.175 Ohm RDS(on), TO-220AB, fully avalanche rated

Marca:

Paquete:

TO-220AB (10.54 x 4.69 x 19.30 mm, 3 pins + tab)
En stock:
11526pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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FM25L16B-DGTR

16Kbit SPI F-RAM, 2Kx8, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 8-TDFN, EEPROM replacement

Marca:

Paquete:

8-TDFN (4×4.5mm)
En stock:
2853pcs

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-50V P-ch MOSFET, 50mOhm RDS(on), 50A, SOT-223, logic-level gate, automotive

Marca:

Paquete:

SOT-223 (6.5 x 3.5 x 1.6 mm)
En stock:
14947pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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FM25CL64B

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, SOIC-8/DFN-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9mm) / DFN-8 (4.0 x 3.0mm)
En stock:
13087pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
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FM25CL64B-GTR

64Kbit SPI F-RAM, 20MHz, 10^14 endurance, NoDelay writes, 151yr retention, SOIC-8

Marca:

Paquete:

SOIC-8 (4.9 x 3.9 x 1.25mm)
En stock:
14066 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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Todos los componentes electrónicos que obtenemos de nuestras cadenas de suministro asociadas se someten a estrictas inspecciones de entrada. Mediante pruebas minuciosas, nos aseguramos de que todo lo que se entrega a los clientes son piezas originales genuinas y cumple los requisitos de calidad. Además, mantenemos registros de inspección completos para que todo el proceso de la cadena de suministro sea claro y rastreable.

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Hemos obtenido una serie de certificaciones profesionales y construido nuestro propio laboratorio de pruebas profesional.Esto asegura que cada producto que entregamos a nuestros clientes cumple con los más altos requisitos de calidad.Llevamos a cabo pruebas en estricta conformidad con los procedimientos para garantizar la calidad del producto estable y parámetros precisos.Para garantizar piezas originales genuinas, también cooperamos con instituciones de pruebas de terceros confiables para la inspección de calidad estricta.Siempre damos gran importancia a la calidad y cumplimos plenamente con las normas de la industria, los reglamentos pertinentes y los requisitos de la norma ISO 9001:2015.

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