AON7410

El AON7410 de Alpha & Omega Semiconductor es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 30 V en un encapsulado DFN 3x3A-8L térmicamente mejorado con almohadilla expuesta. El dispositivo utiliza tecnología de zanja avanzada para ofrecer una excelente RDS(on) con baja carga de puerta, lo que lo hace idóneo para convertidores CC-CC y aplicaciones de conmutación de carga.

Con una RDS(on) máxima de 20 mOhmios a VGS = 10 V (26 mOhmios a 4,5 V) y una corriente de drenaje continua de 24 A, el AON7410 proporciona un manejo de alta corriente en un tamaño compacto de 9 mm2. La carga de puerta típica de 9,8 nC a 10 V permite una conmutación eficiente a frecuencias de hasta varios cientos de kHz con una pérdida mínima de accionamiento de puerta.

El encapsulado DFN 3x3A-8L cuenta con una gran almohadilla térmica expuesta en la parte inferior que proporciona una ruta térmica de baja impedancia a la placa de circuito impreso. Con una RthJA de aproximadamente 50-60C/W en una placa FR4 de 1 pulg2 con 2 onzas de cobre, el encapsulado puede disipar hasta 20 W a temperaturas de caja de hasta 25C, o 3,1 W en aire libre a 25C ambiente.

El dispositivo 100% UIS (Unclamped Inductive Switching) y 100% Rg están probados, lo que garantiza un manejo fiable de la energía de avalancha y una resistencia de puerta constante para un comportamiento de conmutación predecible. El rango de tensión umbral de 1,4-2,5 V proporciona capacidad de accionamiento a nivel lógico a partir de 2,5 V.

El AON7410 no contiene halógenos ni antimonio y cumple la directiva RoHS. Está cualificado para aplicaciones industriales con una temperatura de unión máxima de 150C. El embalaje de cinta y carrete contiene 5000 unidades por carrete para montaje SMT automatizado.

**MOSFET de trinchera de canal N:** El AON7410 utiliza tecnología de puerta de trinchera en la que se graban trincheras verticales en el silicio y el electrodo de puerta se forma dentro de estas trincheras. Esto crea una gran anchura de canal por unidad de área de la matriz, logrando la baja RDS(on) de 20 mOhm. La corriente fluye verticalmente desde la fuente (arriba) a través del canal hasta el drenaje (abajo/almohadilla expuesta).

**Con VGS por debajo del umbral (1,4-2,5 V), no se forma ningún canal y el dispositivo está apagado. Cuando VGS supera VGS(th), se forma una capa de inversión bajo el óxido de puerta, creando un canal conductor de tipo N. La RDS(on) disminuye con el aumento de VGS a medida que el canal se hace más potente.

**El encapsulado DFN de 8 patillas dedica las patillas 1-3 a la fuente, la patilla 4 a la puerta y las patillas 5-8 al drenaje (más la almohadilla expuesta = drenaje). Esta configuración multipolo de drenaje/fuente minimiza la inductancia y resistencia parásitas del encapsulado. La zapata expuesta sirve tanto de ruta térmica primaria como de conexión de drenaje.

**Clasificación de avalancha:** Las pruebas UIS del 100% garantizan que cada dispositivo puede absorber energía inductiva de forma segura durante eventos de conmutación no bloqueados. El dispositivo está clasificado para una corriente de avalancha de 17 A y una energía de avalancha de un solo impulso de 14 mJ.