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AO3402

MOSFET de zanja de canal N de 30V, SOT-23, 4A, RDS(on) 52m ohm máx @ 10V, Qg 10nC, capacidad de accionamiento de puerta de 2,5V, -55C a +150C.

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Pieza del fabricante：

AO3402

Paquete：

SOT-23 (2,9 x 1,6 x 1,25 mm)

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Descripción

Productos

The AO3402 from Alpha & Omega Semiconductor is a 30 V N-channel enhancement-mode MOSFET in an SOT-23 package, manufactured using advanced trench technology. It offers 4 A drain current with 52 mΩ max RDS(on) at VGS = 10 V, and supports gate drive voltages as low as 2.5 V (85 mΩ max). With an extremely low gate charge of 10 nC and fast switching speeds (3.5 ns turn-on delay, 1.5 ns rise time), it is ideally suited for high-frequency PWM and load switch applications in portable electronics.

Especificaciones

VDS 30 V
ID 4 A @ 25 °C / 3.2 A @ 70 °C
RDS(on) 43 mΩ typ / 52 mΩ max @ VGS = 10 V
RDS(on) @ 4.5 V 47 mΩ typ / 65 mΩ max
RDS(on) @ 2.5 V 60 mΩ typ / 85 mΩ max
VGS(th) 0.5 V to 1.5 V
Qg 10 nC typ @ VGS = 10 V / 4.7 nC @ 4.5 V
Ciss 235 pF typ
Switching (tD(on)/tr/tD(off)/tf) 3.5 / 1.5 / 17.5 / 2.5 ns typ
Body Diode trr / Qrr 8.5 ns / 2.6 nC typ
PD 1.4 W @ 25 °C
Temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C
Paquete SOT-23 (2.9 x 1.6 x 1.25 mm)

Características

  • Advanced trench technology for low RDS(on) and low gate charge
  • Supports 2.5 V low-voltage gate drive for 3.3 V / 5 V logic direct drive
  • Ultra-fast switching: 1.5 ns rise time, 3.5 ns turn-on delay
  • Compact SOT-23 package with 1.4 W power dissipation
  • Low body diode reverse recovery: trr = 8.5 ns, Qrr = 2.6 nC

Aplicaciones

  • Load switches in portable electronics
  • PWM applications
  • Mobile phone / tablet power management
  • Battery protection circuits
  • DC-DC converters (low power)
  • Low-power motor drive

The AO3402 from Alpha and Omega Semiconductor is a 30V N-channel enhancement-mode MOSFET in SOT-23 package using advanced trench technology. It offers 4A drain current with 52m ohm max RDS(on) at 10V gate drive, and supports operation down to 2.5V VGS (85m ohm max). Extremely low gate charge of 10nC (at 10V) and fast switching (3.5ns turn-on delay, 1.5ns rise time) make it ideal for high-frequency PWM and load switch applications in portable electronics.

The AO3402 uses AOS advanced trench (vertical) gate MOSFET technology. Trench gate structures eliminate the JFET region present in planar MOSFETs, achieving higher cell density and lower RDS(on). When VGS exceeds the threshold (0.5-1.5V), the P-body inverts to form an N-type conduction channel from drain to source. The trench structure provides a very low specific on-resistance per unit area. Low gate charge (10nC @10V) minimizes drive power loss and switching time. The body diode formed by P-body and N-drift provides a freewheeling path with trr=8.5ns and Qrr=2.6nC.

Pin SOT-23 Función Descripción
1 Puerta Puerta Control; VGS(th) 0.5~1.5V; +/-12V max
2 Fuente Fuente Reference; 4A rated @ 25C
3 Drenaje Drenaje Power terminal; 30V breakdown
  • Load switches in portable electronics
  • PWM applications
  • Mobile phone / tablet power management
  • Battery protection circuits
  • DC-DC converters (low power)
  • Low-power motor drive
Modelo Tipo Notas
AO3402A Same family AOS improved version; mark A29T
AO3400 Equivalente funcional. AOS 30V/5.8A/28m ohm; higher current
SI2302 Equivalente funcional. Vishay 20V/2.2A; SOT-23
2N7002 Equivalente funcional. 60V/0.3A; lower current; SOT-23
BSS138 Equivalente funcional. 50V/0.22A; low VGS(th); SOT-23
AO3404 Equivalente funcional. AOS 30V/5.8A/25m ohm; higher current
Recomendar piezas

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MOSFET 30V N-ch, 24A, 20mOhm@10V, 9.8nC Qg, DFN 3×3 EP, DC-DC/interruptor de carga

Marca:

Paquete:

DFN 3x3A-8L EP (3,0 x 3,0 x 0,78 mm, paso de 0,65 mm, pastilla expuesta)
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