نظرة عامة على المنتج
The FQD11N06TM from onsemi is an N-channel 60V/11A MOSFET with 0.05 Ohm RDS(on) at 10V gate drive in a DPAK (TO-252) surface-mount package, designed for low-voltage high-current switching.
المواصفات الرئيسية
| النوع | N-Channel Enhancement MOSFET |
| VDSS | 60 V |
| بطاقة الهوية | 11 A (continuous @ TC=25°C) |
| RDS(تشغيل) | 0.05 Ohm max @ VGS=10V |
| RDS(تشغيل) | 0.07 Ohm max @ VGS=5V |
| VGS(th) | 2.0 to 4.0 V |
| Total Gate Charge | 20 nC typical |
| تبديد الطاقة | 50 W @ TC=25°C |
| درجة حرارة التشغيل | -55 درجة مئوية إلى +150 درجة مئوية |
| الحزمة | DPAK / TO-252-3 |
الميزات
- 60V N-ch MOSFET with ultra-low 50mOhm RDS(on) at 10V in DPAK
- 11A continuous current with logic-level gate drive capability
التطبيقات
- DC-DC converter synchronous rectifier and motor drive