TPS51362RVER


22V 10A sync buck, D-CAP2, 800kHz, 100µA ULQ standby, 0.6-2.0Vout, VQFN-CLIP 28-pin 4.5x3.5mm, -10~85°C

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TPS51362RVER

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VQFN-CLIP-28 (RVE) (4,5 x 3,5 x 1,0 mm, paso de 0,4 mm)

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Descripción

El TPS51362RVER de Texas Instruments es un convertidor reductor síncrono de 10 A y entrada de 3 V a 22 V con MOSFET integrados en un encapsulado VQFN-CLIP de 28 patillas (4,5×3,5 mm, paso de 0,4 mm). Utiliza la topología de control D-CAP2 de TI para un funcionamiento sin compensación con condensadores de salida POSCAP o totalmente MLCC, una frecuencia de conmutación fija de 800 kHz y un modo ULQ que consume sólo 100 µA en modo de espera de bajo consumo. La tensión de salida es programable de 0,6 V a 2,0 V mediante pin-strapping (1,05/1,2/1,35/1,5 V fijos) o divisor de resistencias. Entre sus características se incluyen el arranque suave programable, el buen estado de la alimentación, la descarga de salida y la protección OCL/OVP/UVP/UVLO/apagado térmico. Dirigido a carriles DDR VDDQ/VCCIO y convertidores POL en portátiles y sistemas integrados.

El TPS51362RVER es un convertidor buck síncrono FET integrado de 10 A de Texas Instruments, diseñado para aplicaciones de punto de carga (POL) en ordenadores portátiles y sistemas embebidos. Funciona con una entrada de 3 V a 22 V y produce una salida ajustable de 0,6 V a 2,0 V, que cubre los raíles VDDQ (1,35 V), VCCIO (1,05 V, 1,2 V) y los raíles lógicos del núcleo de la memoria DDR.

La topología de control D-CAP2 es el elemento diferenciador clave. A diferencia del control tradicional en modo de corriente o de tensión, el D-CAP2 utiliza un control adaptativo del tiempo de conexión con inyección interna de ondulación, lo que elimina la necesidad de componentes de compensación de tipo II/III. Esto simplifica el diseño y admite configuraciones de condensadores de salida POSCAP y MLCC sin problemas de estabilidad. Esto simplifica el diseño y admite configuraciones de condensadores de salida POSCAP y MLCC sin problemas de estabilidad, una ventaja fundamental en diseños compactos en los que se prefieren los MLCC por su altura y fiabilidad.

El modo ULQ (Ultra-Low Quiescent) reduce la corriente de polarización a 100 µA cuando la patilla LP# se pone a nivel bajo, lo que permite una larga duración de la batería durante el modo de espera del sistema. Se trata de una mejora significativa con respecto a los modos de salto automático estándar, que suelen consumir entre 500 µA y 1 mA. En el modo PWM normal, el dispositivo funciona a una frecuencia fija de 800 kHz, equilibrando la eficiencia y el tamaño del inductor.

La tensión de salida puede ajustarse mediante la fijación de las patillas REFIN y REFIN2 (opciones fijas de 1,05 V, 1,2 V, 1,35 V y 1,5 V) sin resistencias externas, o mediante un divisor de resistencias desde la patilla VREF de 2,0 V para cualquier tensión de 0,6 V a 2,0 V. Esta flexibilidad admite múltiples generaciones DDR y tensiones de carril con una única lista de materiales.

El interruptor MOSFET de arranque integrado elimina la necesidad de un diodo de arranque externo. La detección RDS(on) del MOSFET de lado bajo proporciona protección contra sobrecorriente compensada por temperatura sin necesidad de una resistencia de detección externa. El encapsulado VQFN-CLIP-28 ocupa un espacio compacto de 15,75 mm² con una almohadilla térmica expuesta para una disipación eficaz del calor.

**Control D-CAP2:** El TPS51362 utiliza el control D-CAP2 (Direct Capacitor-Area-Free 2nd generation) de TI, que combina la modulación adaptativa del tiempo de conexión con la inyección interna de ondulación. El amplificador de error compara FB con una referencia interna; el generador de tiempo de conexión produce un impulso de duración fija (proporcional a VIN/VOUT) en cada ciclo de conmutación. La inyección de ondulación interna en FB emula la ondulación de la corriente del inductor, proporcionando la información necesaria para un funcionamiento estable sin compensación externa. Esta topología es inherentemente estable con cualquier tipo de condensador de salida (POSCAP, MLCC o mixto) siempre que la ESR esté por encima de un umbral mínimo.

**Modo ULQ:** Cuando LP# se pone a nivel bajo, el dispositivo entra en modo de reposo ultrabajo. El controlador reduce las corrientes de polarización internas y cambia a un modo de omisión de impulsos en el que la frecuencia de conmutación varía con la carga. Con carga cero, sólo se consumen 100 µA de la alimentación de entrada. La precisión de la regulación de la tensión de salida se degrada ligeramente en el modo ULQ, pero se mantiene dentro de los límites de las especificaciones DDR.

**Etapa de alimentación:** Los MOSFET integrados de lado alto y bajo están optimizados para un funcionamiento de bajo ciclo de trabajo (3-5 V de salida a partir de 12-19 V de entrada). El RDS(on) del lado bajo también se utiliza para la detección de corriente: la tensión a través del FET del lado bajo durante el tiempo de desconexión se mide y se compensa con la temperatura para establecer el umbral de límite de sobrecorriente, eliminando una resistencia de detección externa.

**El interruptor de arranque integrado carga el condensador de arranque desde VDD a través de un MOSFET interno (no un diodo), reduciendo la caída de tensión de arranque y permitiendo el arranque en salidas pre polarizadas sin descargar primero la carga.

Pin Nombre Tipo Descripción
1 VDD P Salida LDO interna de 5 V y bypass de alimentación interno; conectar cerámica de 1µF a GND; no cargar externamente.
2 ES I Habilitar; pull alto para habilitar; tiene pull-up interno; pull por debajo de 0.4V para deshabilitar; umbral UVLO ~4.5V en VIN
3 LP# I Control de modo de bajo consumo; pull bajo para modo ULQ (100µA Iq); pull alto para PWM normal/auto-skip; tiene pull-up interno
4 PGOOD O Salida power-good de drenaje abierto; se activa cuando FB está dentro de ±10% del objetivo; conecte una resistencia pull-up externa a la alimentación lógica.
5 VFB I Entrada de realimentación de tensión; conectar al punto medio del divisor de tensión de salida o conectar a VREF para tensión fija sin resistencia; referencia 0,6V
6 VREF O Salida de referencia de 2,0 V; capacidad de fuente de 300 µA; derivación con 0,1 µF a GND; uso para ajuste de tensión de salida del divisor de resistencias
7 REFIN I Selección de voltaje de salida pin 1; flotante o ligado a GND durante el arranque para seleccionar voltaje fijo (ver tabla verdadero-falso); determina 1.05/1.2/1.5/1.35V
8 REFIN2 I Clavija de selección de tensión de salida 2; misma función que REFIN; ambas clavijas se muestrean al arrancar; se bloquean hasta el siguiente ciclo de alimentación.
9 SS E/S Programación de arranque suave; conecte el condensador a GND; corriente de carga de 5µA; un condensador más grande = arranque más lento; déjelo flotante por defecto 1ms
10 MODO I Selección del modo de funcionamiento; controla el comportamiento de auto-skip frente a PWM forzado; vinculado a GND o flotante según la recomendación de la hoja de datos.
11-18 GND G Toma de tierra de señal y alimentación; se conecta al plano de tierra de la placa de circuito impreso y a la almohadilla térmica expuesta; fundamental para el rendimiento térmico y eléctrico.
19 SW O Nodo de conmutación; conectar a inductor de salida; dv/dt alto; mantener cobre corto para reducir EMI; abs máx -1,5V a 24V
20 BOOT E/S Condensador de arranque; conectar cerámica de 0,1µF de BOOT a SW; el interruptor de arranque interno se carga desde VDD
21 VIN P Alimentación de entrada principal (3-22 V); conecte condensadores de derivación de entrada (cerámicos de 10 µF + a granel) cerca de la patilla; el desacoplamiento de alta frecuencia es crítico.
22-28 VIN/GND P/G Pines VIN y GND adicionales para la distribución de energía y el alivio térmico; siga las directrices de diseño de PCB según la hoja de datos.
Aplicación Descripción
Alimentación DDR VDDQ para portátiles Genera VDDQ de 1,35 V para DDR3L a partir de un riel de sistema de 5 V o 12 V; 10 A para configuraciones de 2 módulos DIMM; el pin REFIN/REFIN2 fija 1,35 V sin resistencias; el modo ULQ mantiene la regulación en espera a 100 µA Iq para el estado de reposo S3; D-CAP2 estable con salida sólo MLCC.
SoC integrado Core Rail Alimentación del núcleo de 0,8-1,2 V desde el carril intermedio de 5 V o 12 V; 10 A para SoC y FPGA de gama media; el divisor de resistencias desde VREF establece el voltaje preciso; el arranque suave controla la irrupción; PGOOD controla la lógica de reinicio.
Alimentación de la controladora SSD Convierte 5 V o 12 V a 1,2 V en el núcleo y 1,8 V en los raíles de E/S; el tamaño compacto VQFN-CLIP se adapta al factor de forma de las SSD M.2; D-CAP2 elimina los componentes de compensación, lo que reduce la lista de materiales; 100 µA ULQ prolongan la duración de la batería del portátil en reposo.
Modelo Fabricante Compatibilidad Diferencia clave
TPS51363RVER TI Actualización compatible con clavijas Mismo VQFN-CLIP-28; salida de 12 A (frente a 10 A); mismo control D-CAP2; mayor capacidad de corriente para plataformas de nueva generación.
TPS51362ARVER TI Compatible con clavijas, más nuevo Versión A con prestaciones mejoradas en cuanto a fluctuación de fase y EMI; misma distribución de patillas y especificaciones eléctricas; recomendada para nuevos diseños.
ISL95813HRTZ Renesas Equivalente funcional Entrada 5-25V; 10A; modulación R3 tipo D-CAP; QFN-28 (5x6mm, mayor); características similares; uso como segunda fuente
MP8867GN-Z MPS Alternativa competitiva 4,5-22V entrada; 8A; 800kHz; QFN-20 (3x4mm, más pequeño); menor corriente pero menor encapsulado; uso para diseños sub-10A con limitaciones de espacio.
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