MT60B1G16HC-52B:G es de alta velocidad Componente SDRAM DDR5 de 16 Gb (2 GB) de Micron, configurado como ×16 bits de ancho, funcionando a 5200 MT/s (DDR5-5200). Diseñada para la informática de alto rendimiento, cuenta con integridad de señal avanzada, fiabilidad en chip y funcionamiento de bajo consumo, ideal para UDIMM, SODIMM, RDIMM y módulos de memoria de servidor.
- Fabricante: Tecnología Micron
- Número de pieza: MT60B1G16HC-52B:G
- Densidad: 16Gb (1G × 16)
- Tipo de memoria: SDRAM DDR5
- Grado de velocidad: DDR5-5200 (5200 MT/s)
- Latencia CAS: CL-52
- Paquete: VFBGA de 102 bolas (7,5 × 14,0 × 1,0 mm)
- Tensión: VDD/VDDQ = 1,1V; VPP = 1,8V
- Temperatura de funcionamiento: 0°C a +95°C
- Revisión: Muere Rev G
- Arquitectura de prefetch de 16n bits para un gran ancho de banda
- 16 bancos internos (4 grupos × 4 bancos) para acceso paralelo
- ECC en chip (Código de corrección de errores) con depuración de errores
- DFE (ecualización por realimentación de decisiones) & ODT (Terminación en el troquel)
- Escritura CRC, máscara de datos (DM), formación CA, formación DQ VREF
- Actualización automática: 32ms (≤85°C) / 16ms (85-95°C)
- Mando Polivalente (MPC), Apagado, MPSM (Modo de reposo multipuerto)
- Conforme a RoHS, Paquete verde
- Memoria para ordenadores de sobremesa, portátiles y estaciones de trabajo (UDIMM/SODIMM)
- Plataformas de servidores y computación en nube
- Sistemas integrados de alto rendimiento
- Tarjetas de red y aceleradores