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LM74700QDBVRQ1

Automotive ideal diode controller, 65V, 26mV drop, AEC-Q100, SOT-23-6

7890

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Pieza del fabricante：

LM74700QDBVRQ1

Paquete：

SOT-23-6 (2.9 x 1.6 x 1.1 mm)

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Descripción

Productos

The LM74700QDBVRQ1 from Texas Instruments is an automotive-qualified ideal diode controller that drives an external N-channel MOSFET to emulate a near-ideal Schottky diode. In a SOT-23-6 package, it provides reverse polarity protection and power supply ORing with only 26mV forward voltage drop.

Especificaciones

Operating Voltage 3V ~ 65V
Forward Voltage Drop 26mV (regulated)
Reverse Current 3uA max
Gate Drive Voltage 12V above ANODE
Corriente de reposo 155uA (operating)
Cualificación AEC-Q100 Grade 1
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Paquete SOT-23-6

Características

  • AEC-Q100 Grade 1 automotive qualified
  • 65V maximum operating voltage
  • 26mV regulated forward voltage drop
  • 3uA max reverse leakage current
  • 12V gate drive for standard N-channel MOSFETs
  • Fast reverse current protection (0.5us)

Aplicaciones

  • Automotive battery reverse polarity protection
  • Power supply ORing and redundancy
  • Battery backup switchover systems
  • Industrial 24V bus protection
  • LED lighting power protection

The LM74700QDBVRQ1 is an automotive-qualified ideal diode controller from Texas Instruments that drives an external N-channel MOSFET to emulate an ideal diode with just 26mV forward voltage drop. AEC-Q100 Grade 1 qualified, it operates from 3V to 65V, covering the full automotive battery voltage range including load dump transients. The controller regulates the MOSFET gate to maintain 26mV across the MOSFET during forward conduction, automatically turning off the MOSFET within 0.5us when reverse current is detected. This eliminates the power dissipation and voltage drop of conventional Schottky diodes.

The LM74700 monitors the voltage across the external N-channel MOSFET between the ANODE and CATHODE pins. When forward current flows (ANODE > CATHODE), the controller drives the GATE pin 12V above ANODE to fully enhance the MOSFET, achieving near-zero voltage drop. A regulation loop maintains 26mV across the MOSFET for smooth current handling. When reverse current is detected (CATHODE > ANODE), the gate is pulled low within 0.5us, blocking reverse current. An integrated charge pump provides the gate drive voltage above the anode supply rail without external components.

Pin Nombre Tipo Función
1 GATE Salida MOSFET gate drive
2 CATÁDICO Entrada Sense output / MOSFET drain
3 ES Entrada Enable (active high)
4 GND Potencia Suelo
5 VIN Entrada Supply input (3-65V)
6 ANODE Entrada Sense input / MOSFET source
  • Automotive 12V/24V battery reverse polarity protection
  • Redundant power supply ORing in ADAS systems
  • Industrial 24V bus reverse current blocking
  • Battery backup hot-swap protection
  • LED driver supply polarity protection
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
TI LM74701QDBVRQ1 SOT-23-6 Higher gate drive, 65V
Dispositivos analógicos LTC4359IMS8#PBF 8-MSOP Ideal diode controller, 80V
Maxim MAX16141 6-TDFN Ideal diode, 5.5V-60V
Infineon BTS50015-1TAE TO-252 Smart high-side switch alternative
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3-16S battery monitor/protector, Li-Ion/LiFePO4, 2 ADCs, TQFP-48

Marca:

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Marca:

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