BSS138-7-F


N-Ch logic-level MOSFET 50V 200mA 3.5Ohm, low Vth, AEC-Q101, SOT-23-3

14700

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Pieza del fabricante:

BSS138-7-F

Paquete:

SOT-23-3 (2.9 x 1.3 x 0.95 mm)

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Descripción

Productos

The BSS138-7-F from Diodes Incorporated is an N-Channel enhancement mode logic-level MOSFET rated at 50V, 200mA with 3.5Ohm maximum on-resistance. It features low gate threshold voltage, fast switching speed, and AEC-Q101 qualification in a tiny SOT-23-3 package, ideal for level shifting and switching applications.

Especificaciones

Fabricante Diodos Incorporados
Channel Type N-Channel Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) 50V
VGS (Gate-Source Voltage) +-20V
ID (Continuous Drain Current) 200mA @ TA=25C
RDS(on) Max 3.5Ohm @ VGS=10V, ID=220mA
VGS(th) 0.5V to 1.5V (typ 1.2V)
Input Capacitance 50pF @ VDS=10V
Power Dissipation 300mW @ TA=25C
Paquete SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C

Características

  • Low on-resistance: 3.5Ohm max at VGS=10V
  • Low gate threshold voltage: 0.5V to 1.5V
  • Low input capacitance: 50pF max
  • Fast switching speed: 20ns max delay times
  • Low input/output leakage current
  • Logic-level gate drive compatible
  • AEC-Q101 qualified for automotive reliability
  • Lead-free, halogen-free, and antimony-free
  • RoHS compliant (Green device)

Aplicaciones

  • I2C and SPI voltage level shifting
  • System and load switching
  • Low-power switching applications
  • Logic-level signal driving
  • Battery-powered portable devices

The Diodes Incorporated BSS138-7-F is an N-Channel enhancement mode MOSFET designed for low-power switching and level-shifting applications. With a low gate threshold voltage of 0.5V to 1.5V, the device can be driven directly from 1.8V, 2.5V, or 3.3V logic signals, making it ideal for bidirectional voltage level translation on I2C and SPI buses. The 50V drain-source rating provides ample margin for typical interface voltage translation scenarios. The SOT-23-3 surface-mount package occupies minimal board space while providing 300mW power dissipation capability. The device is AEC-Q101 qualified, making it suitable for automotive applications. It is lead-free, halogen-free, and fully RoHS compliant as a Green device.

The BSS138-7-F operates as a voltage-controlled N-Channel enhancement-mode MOSFET: 1) Gate Control: When VGS exceeds the threshold voltage (0.5-1.5V), an inversion layer forms in the P-body, creating a conductive channel between drain and source. The low threshold voltage enables logic-level gate drive from low-voltage microcontrollers. 2) Conduction: At VGS=10V, RDS(on) is 1.4Ohm typical (3.5Ohm max), providing efficient current conduction for low-power switching applications. At lower VGS values, RDS(on) increases but remains sufficient for level-shifting applications where current is minimal. 3) Level Shifting: When used in a common-gate configuration with a pull-up resistor on the drain, the BSS138 can translate logic signals between different voltage domains. When one side drives low, the MOSFET conducts and pulls the other side low; when released, both sides are pulled high by their respective pull-up resistors. 4) Switching: The low 50pF input capacitance and 20ns switching delays enable fast signal transitions for I2C speeds up to 400kHz and beyond.

Pin Nombre Tipo Función
1 Puerta Entrada MOSFET gate (control terminal)
2 Fuente Salida MOSFET source
3 Drenaje Salida MOSFET drain
  • Bidirectional I2C and SPI voltage level shifting between 1.8V/2.5V/3.3V/5V domains
  • System and load switching in battery-powered portable devices
  • Logic-level signal driving and interfacing
  • Low-power relay and LED driving
  • General-purpose switching in consumer and automotive electronics
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
onsemi BSS138LT1G SOT-23-3 Direct equivalent, AEC-Q101
Nexperia BSS138P,215 SOT-23-3 Direct equivalent
TI BSS138N SOT-23-3 50V, 220mA, logic level
Infineon BSR138NH6327XTSA1 SOT-23-3 60V, similar function
Diodos Inc BSS138W-7-F SOT-323 Smaller package version
Recomendar piezas
Shielded power inductor, 2.2 uH, 20%, 2525 package, high saturation, low DCR

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2525 (6.7 x 7.2 x 3.0 mm)
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3210pcs

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Dual phototransistor optocoupler, 4kV isolation, 100-200% CTR, 70V BVCEO, SOIC-8

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SOIC-8 (5.3 x 6.1 x 1.65mm, 150mil)
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2409 piezas

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600W unidirectional TVS, 12V standoff, 19.9V clamp, SMB package

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SMB (DO-214AA) (4.6 x 3.9 x 2.3 mm)
En stock:
10042pcs

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5.5×2.5mm DC barrel jack, 15A 24V, right-angle through-hole

Marca:

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Right-Angle Through-Hole (13.7 x 10.5 x 11.0 mm)
En stock:
14723pcs

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3A 40V Schottky diode, 0.5V VF, SMA (DO-214AC) package

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SMA (DO-214AC) (5.2 x 2.6 x 2.2 mm)
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13969pcs

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600W unidirectional TVS, 58V standoff, 93.1V clamp, SMA package

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SMA (DO-214AC) (5.2 x 2.6 x 2.2 mm)
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10975pcs

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Garantía de calidad

Todos los componentes electrónicos que obtenemos de nuestras cadenas de suministro asociadas se someten a estrictas inspecciones de entrada. Mediante pruebas minuciosas, nos aseguramos de que todo lo que se entrega a los clientes son piezas originales genuinas y cumple los requisitos de calidad. Además, mantenemos registros de inspección completos para que todo el proceso de la cadena de suministro sea claro y rastreable.

Certificación
Hemos obtenido una serie de certificaciones profesionales y construido nuestro propio laboratorio de pruebas profesional.Esto asegura que cada producto que entregamos a nuestros clientes cumple con los más altos requisitos de calidad.Llevamos a cabo pruebas en estricta conformidad con los procedimientos para garantizar la calidad del producto estable y parámetros precisos.Para garantizar piezas originales genuinas, también cooperamos con instituciones de pruebas de terceros confiables para la inspección de calidad estricta.Siempre damos gran importancia a la calidad y cumplimos plenamente con las normas de la industria, los reglamentos pertinentes y los requisitos de la norma ISO 9001:2015.

Envíos y pagos

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Servicio y embalaje

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