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TISP61089BDR-S


Dual P-gate thyristor protector, 170V VDRM, -112V breakover, 30A, SLIC, 8-SOIC

8320

Inventario efectivo
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Pieza del fabricante:

TISP61089BDR-S

Paquete:

8-SOIC (5.0 x 4.0 x 1.5mm)

Marca:
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Descripción

Productos

The TISP61089BDR-S from Bourns is a dual forward-conducting P-gate thyristor overvoltage protector designed for SLIC (Subscriber Line Interface Circuit) protection. It features 170V off-state voltage, -112V breakover voltage, 30A peak pulse current, and low gate triggering current below 5mA, in an 8-pin SOIC surface-mount package.

Especificaciones

Fabricante Bourns
Tipo Dual P-Gate Thyristor Protector
Off-State Voltage (VDRM) 170V
Breakover Voltage (Max) -112V
Peak Pulse Current (10/1000us) 30A
Surge Current Rating (2/10us) 120A
Holding Current 150mA min
Gate Trigger Current <5mA
Off-State Current 5uA max
Capacitance 100pF
Paquete 8-SOIC (5.0 x 4.0mm)
Temperatura de funcionamiento -40C to +85C

Características

  • Dual forward-conducting buffered P-gate thyristor
  • Programmable overvoltage protection for negative rail SLICs
  • Voltage tracking with SLIC battery voltage
  • Low gate triggering current: <5mA
  • High holding current: >150mA
  • Rated for GR-1089-CORE and K.44 impulses
  • 2/10us overshoot voltage specified
  • Feed-thru pinout for simplified PCB layout

Aplicaciones

  • SLIC overvoltage protection in telecom line cards
  • VoIP gateway surge protection
  • PBX and central office equipment
  • Telecommunications infrastructure

The Bourns TISP61089BDR-S is a dual forward-conducting buffered P-gate thyristor overvoltage protector designed for protecting monolithic SLICs against overvoltages on telephone lines caused by lightning, AC power contact, and induction. The device limits voltages that exceed the SLIC supply rail voltage. Parameters are specified to allow equipment compliance with Telcordia GR-1089-CORE and ITU-T recommendations K.20, K.21, and K.45. The low gate triggering current below 5mA enables voltage tracking with the SLIC battery voltage. The high holding current of 150mA minimum prevents false latch-up during normal operation.

The TISP61089BDR-S operates as a voltage-tracking thyristor protector with three key mechanisms: 1) Gate Tracking: The gate terminal is connected to the SLIC battery voltage, establishing the protection threshold relative to the supply rail. When the line voltage exceeds the gate voltage by the breakover margin, the thyristor fires. 2) Crowbar Protection: Upon triggering, the thyristor enters a low-impedance crowbar state, diverting surge current away from the SLIC. The 30A peak pulse current rating provides robust protection against lightning-induced surges. 3) Self-resetting: After the surge subsides and the current drops below the 150mA holding current, the thyristor automatically returns to the high-impedance blocking state, restoring normal line operation.

Pin Nombre Tipo Función
1 NC - No connection
2 GND Suelo Ground connection
3 GND Suelo Ground connection
4 GATE Entrada Gate (connected to SLIC battery)
5 K1 (Tip) E/S Tip side cathode
6 K2 (Ring) E/S Ring side cathode
7 NC - No connection
8 NC - No connection
  • SLIC overvoltage protection in VoIP gateways and line cards
  • Telecom central office equipment surge protection
  • PBX systems meeting GR-1089-CORE compliance
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
Bourns TISP61089ASDR-S 8-SOIC -100V battery version
Bourns TISP61089SDR-S 8-SOIC Shunt version pinout
onsemi NCP367SNT1G SOT-23-6 OVP for SLIC
Littelfuse TP61089BDR-S SOIC-8 Similar function
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600W unidirectional TVS, 58V standoff, 93.1V clamp, SMA package

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SMA (DO-214AC) (5.2 x 2.6 x 2.2 mm)
En stock:
10975pcs

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