FGH40T120SMD


1200V 40A N-ch IGBT, VCE(sat) 2.1V, SMD-1 package, motor drive / inverter

13211

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Pieza del fabricante:

FGH40T120SMD

Paquete:

SMD-1 (TO-247 SMD) (15.8 x 21.0 x 4.8 mm)

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Descripción

Productos

The FGH40T120SMD from onsemi is a 1200V, 40A N-channel IGBT in an SMD-1 package. Using punch-through technology, it achieves VCE(sat) of 2.1V max at 40A, making it suitable for motor drive inverters and power converters up to 20kHz switching frequency.

Especificaciones

VCE 1200V
IC (Continuous) 40A @ Tc=25°C
VCE(sat) Max 2.1V @ IC=40A
VGE(th) 4.5V ~ 6.5V
Switching Fall Time 140ns typical
Power Dissipation 250W @ Tc=25°C
Paquete SMD-1
Temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C

Características

  • 1200V collector-emitter voltage rating
  • 40A continuous collector current
  • Low VCE(sat) of 2.1V for efficient conduction
  • Punch-through IGBT technology for fast switching
  • Square RBSOA
  • 10us short-circuit withstand time

Aplicaciones

  • Motor drive inverter power stage
  • Solar inverter switching element
  • Welding equipment power converter
  • UPS switching stage
  • Induction heating systems

The FGH40T120SMD from onsemi is a 1200V, 40A N-channel IGBT in an SMD-1 surface-mount package. It uses punch-through (PT) IGBT technology optimized for medium-frequency switching up to approximately 20kHz. The low VCE(sat) of 2.1V at 40A minimizes conduction losses in motor drive and inverter applications. The IGBT combines the voltage-driven gate of a MOSFET with the low forward drop of a bipolar transistor. The SMD-1 package provides surface-mount capability while maintaining good thermal performance.

The FGH40T120SMD is an N-channel IGBT combining a MOSFET input with a PNP bipolar output. When VGE exceeds the threshold (4.5-6.5V), the MOSFET channel conducts, providing base current to the PNP transistor which amplifies the current. During turn-off, the MOSFET channel stops immediately, but PNP stored charge causes a current tail (140ns typical fall time). Punch-through technology uses an N+ buffer layer to limit the electric field, allowing a thinner drift region and lower VCE(sat).

Pin Nombre Tipo Función
1 Puerta Entrada Gate control terminal
2 Colector Salida Collector terminal (high voltage)
3 Emisor Potencia Emitter terminal
  • AC motor drive inverter (3-phase, 380-690V input)
  • Solar string inverter power stage (up to 1000V DC bus)
  • Welding machine inverter converter
  • Uninterruptible power supply (UPS) switching stage
  • Induction heating and induction cooking
Fabricante Número de pieza Paquete Notas
Infineon IKW40N120T2 TO-247 1200V, 40A IGBT
onsemi FGH40T120SMD-F085 SMD-1 Optimized for 8kHz switching
ST STGW40NC120VD TO-247 1200V, 40A, fast IGBT
Infineon IGW40N120H3 TO-247 1200V, 40A, TRENCHSTOP
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Single 2-input OR gate, UHS TinyLogic, 1.65-5.5V, 2.4ns, SOT-23-5

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SOT-23-5 (3.0 x 1.5 x 0.95 mm)
En stock:
15000 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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P-Channel MOSFET, -50V, -130mA, 10 Ohm RDS(on), SOT-23, logic level

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SOT-23-3 (2.9 x 1.3 x 1.0 mm)
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4891pcs

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1.5W 18V Zener diode, SMA package, 5% tolerance, AEC-Q101, ESD Class 3

Marca:

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SMA (DO-214AC) (4.32 x 2.6 x 2.0 mm)
En stock:
7948pcs

Ciclo de carga: 3~7 días
El pedido mínimo es de 1

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1A, 1000V standard recovery rectifier, SMA package, glass passivated

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SMA (DO-214AC), 2.60 x 5.10 x 1.00 mm
En stock:
2409 piezas

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El pedido mínimo es de 1

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3-pin uP reset monitor, push-pull RESET, 4.63V threshold, SOT-23

Marca:

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SOT-23-3
En stock:
3824 piezas

Ciclo de carga: 3~7 días
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Dual bipolar op-amp, 4.5MHz GBW, 13V/μs slew, 3-44V single supply, SOIC-8

Marca:

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SOIC-8 (3.9 x 4.9 x 1.5mm)
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3480pcs

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El pedido mínimo es de 1

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